Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

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Puce d'IC de mémoire

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Puce d'IC de mémoire

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Chine ÉCLAIR obsolète de puce d'IC de mémoire de statut de partie grand choix W25Q16BVSSIG - NI de Temp de mémoire usine

ÉCLAIR obsolète de puce d'IC de mémoire de statut de partie grand choix W25Q16BVSSIG - NI de Temp de mémoire

ÉCLAIR de puce d'IC de mémoire de W25Q16BVSSIG - NI mémoire IC 16Mb (2M x 8) SPI 104MHz 8-SOIC Catégories Circuits intégrés (ICs) Mémoire Fabricant L'électronique de Winbond Série SpiFlash® Empaquetage Tube ... Read More
2018-06-08 11:03:37
Chine interface de mémoire parallèle de la puce de mémoire instantanée de la taille 64Mb SST39VF6401B-70-4I-EKE usine

interface de mémoire parallèle de la puce de mémoire instantanée de la taille 64Mb SST39VF6401B-70-4I-EKE

Parallèle 70ns 48-TSOP d'IC 64Mb (4M x 16) de mémoire INSTANTANÉE de puce d'IC de mémoire de SST39VF6401B-70-4I-EKE CARACTÉRISTIQUES : Éclair universel de 64 Mbit (x16) plus SST39VF6401B/SST39VF6402B • Organis... Read More
2018-06-08 11:03:37
Chine la puce 3ms d'IC de mémoire de fréquence du signal d'horloge 133MHz écrivent la durée de cycle W25Q16JVSSIQ usine

la puce 3ms d'IC de mémoire de fréquence du signal d'horloge 133MHz écrivent la durée de cycle W25Q16JVSSIQ

ÉCLAIR de puce d'IC de mémoire de W25Q16JVSSIQ - NI mémoire IC 16Mb (2M x 8) SPI 133MHz 8-SOIC 1. DESCRIPTION GÉNÉRALE Les souvenirs W25Q80 (8M-bit), W25Q16 (16M-bit), et W25Q32 (32M-bit) instantanés p... Read More
2018-06-08 11:03:37
Chine Puces de carte d'IC de mémoire de haute performance, composant électrique W25Q64JVSSIQ d'IC usine

Puces de carte d'IC de mémoire de haute performance, composant électrique W25Q64JVSSIQ d'IC

ÉCLAIR de puce d'IC de mémoire de W25Q64JVSSIQ - NI mémoire IC 64Mb (8M x 8) SPI 133MHz 8-SOIC 1. DESCRIPTION GÉNÉRALELa mémoire instantanée périodique de W25Q64BV (64M-bit) fournit à une solution de stockage ... Read More
2018-06-08 11:03:37
Chine Type statut actif de mémoire non volatile de puce d'IC de la mémoire 24LC04B-I/SN de partie usine

Type statut actif de mémoire non volatile de puce d'IC de la mémoire 24LC04B-I/SN de partie

Mémoire de la puce EEPROM d'IC de la mémoire 24LC04B-I/SN IC 4Kb (256 x 8 x 2) ² C 400kHz 900ns 8-SOIC d'I Tableau de sélection de dispositif Note 1 : 100 kilohertz pour VCC Caractéristiques : • Choisissez l... Read More
2018-06-08 11:03:37
Chine protection contre l'écriture 24LC16B-I/SN de matériel de technologie de la carte de mémoire de 400kHz 900ns IC EEPROM usine

protection contre l'écriture 24LC16B-I/SN de matériel de technologie de la carte de mémoire de 400kHz 900ns IC EEPROM

Mémoire IC 16Kb (² C 400kHz 900ns 8-SOIC de la puce EEPROM d'IC de la mémoire 24LC16B-I/SN de 2K X 8) I Tableau de sélection de dispositif Numéro de la pièce VCC Gamme Fréquence du signal d'horloge maximale ... Read More
2018-06-08 11:03:37
Chine technologie 24LC64-I/P de la puissance faible CMOS de temps d'accès de la puce 900ns d'IC de la mémoire 8-PDIP usine

technologie 24LC64-I/P de la puissance faible CMOS de temps d'accès de la puce 900ns d'IC de la mémoire 8-PDIP

Mémoire IC 64Kb (² C 400kHz 900ns 8-PDIP de la puce EEPROM d'IC de la mémoire 24LC64-I/P de 8K X 8) I Tableau de sélection de dispositif Numéro de la pièce VCC Gamme Fréquence du signal d'horloge maximum Cha... Read More
2018-06-08 11:03:37
Chine SRAM - Kit asynchrone de circuit intégré, panneau IS61LV25616AL-10TL de circuit intégré de mémoire usine

SRAM - Kit asynchrone de circuit intégré, panneau IS61LV25616AL-10TL de circuit intégré de mémoire

Puce SRAM d'IC de mémoire d'IS61LV25616AL-10TL - parallèle asynchrone 10ns 44-TSOP II d'IC 4Mb (256K X 16) de mémoire 256K X 16 CMOS ASYNCHRONE À GRANDE VITESSE MÉMOIRE RAM STATIQUE AVEC L'APPROVISIONNEMENT 3... Read More
2018-06-08 11:03:37
Chine alimentation générale 7mW CMOS IS61WV25616BLL-10TLI de réserve de puce d'IC de la mémoire 4Mb parallèle basse usine

alimentation générale 7mW CMOS IS61WV25616BLL-10TLI de réserve de puce d'IC de la mémoire 4Mb parallèle basse

Puce SRAM d'IC de mémoire d'IS61WV25616BLL-10TLI - parallèle asynchrone 10ns 44-TSOP II d'IC 4Mb (256K X 16) de mémoire CARACTÉRISTIQUES GRANDE VITESSE : (IS61/64WV25616ALL/BLL) • Temps d'accès haut débit : 8, ... Read More
2018-06-08 11:03:37
Chine Les circuits intégrés de l'électronique de mémoire, IC commun ébrèche IS61WV51216BLL-10TLI usine

Les circuits intégrés de l'électronique de mémoire, IC commun ébrèche IS61WV51216BLL-10TLI

Puce SRAM d'IC de mémoire d'IS61WV51216BLL-10TLI - parallèle asynchrone 10ns 44-TSOP II d'IC 8Mb (512K X 16) de mémoire 512K X 16 ASYNCHRONES ULTRA-RAPIDES CMOS MÉMOIRE RAM STATIQUE AVEC 3.3V l'APPROVISIONNEME... Read More
2018-06-08 11:03:37
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