Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

Bon pour citer pour la liste de BOM comprenant IC, diode, transistor, condensateur, résistance et ainsi de suite !

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interface de mémoire parallèle de la puce de mémoire instantanée de la taille 64Mb SST39VF6401B-70-4I-EKE

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interface de mémoire parallèle de la puce de mémoire instantanée de la taille 64Mb SST39VF6401B-70-4I-EKE

Chine interface de mémoire parallèle de la puce de mémoire instantanée de la taille 64Mb SST39VF6401B-70-4I-EKE fournisseur

Image Grand :  interface de mémoire parallèle de la puce de mémoire instantanée de la taille 64Mb SST39VF6401B-70-4I-EKE

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: Rosh
Numéro de modèle: SST39VF6401B-70-4I-EKE

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
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Description de produit détaillée
Statut de partie: Active Type de mémoire: Non-volatile
format de mémoire: Flash Technologie: Flash
Taille de la mémoire: 64Mb (4M x 16) Écrivez la durée de cycle - Word, page: 10µs
Temps d'accès: 70ns Interface de mémoire: Parallèle

 

Parallèle 70ns 48-TSOP d'IC 64Mb (4M x 16) de mémoire INSTANTANÉE de puce d'IC de mémoire de SST39VF6401B-70-4I-EKE

 

CARACTÉRISTIQUES :

Éclair universel de 64 Mbit (x16) plus

interface de mémoire parallèle de la puce de mémoire instantanée de la taille 64Mb SST39VF6401B-70-4I-EKESST39VF6401B/SST39VF6402B

Organisé en tant que 4M x16

La tension simple a lu et écrit des opérations

– 2.7-3.6V

Fiabilité supérieure

– Résistance : 100 000 cycles (de typique)

– Plus considérablement que 100 ans de conservation de données

Consommation de puissance faible (valeurs typiques à 5 mégahertz)

– Courant actif : 9 mA (de typique)

– Courant de réserve : µA 3 (typique)

– Mode automatique de puissance faible : µA 3 (typique)

Pin d'entrée du matériel Block-Protection/WP#

– Bloc-protection supérieure (principal 32 kilomot) pour SST39VF6402B

– Bloc-protection inférieure (le fond 32 kilomot) pour SST39VF6401B

Capacité de Secteur-effacement

– Uniforme 2 secteurs de kilomot

Capacité de Bloc-effacement

– Uniforme 32 blocs de kilomot

Capacité de Puce-effacement

Effacement-suspendez/capacités d'Effacement-résumé

Pin de remise de matériel (RST#)

Caractéristique Sécurité-identification

– SST : 128 bits ; Utilisateur : 128 bits

Jeûnent le temps d'accès en lecture :

– 70 NS

– 90 NS

Adresse et données verrouillées

Jeûnent l'effacement et le Word-programme :

– Temps de Secteur-effacement : Mme 18 (typique)

– Temps de Bloc-effacement : Mme 18 (typique)

– Temps de Puce-effacement : Mme 40 (typique)

– Temps de Word-programme : 7 µs (typiques)

Automatique écrivez la synchronisation

– Génération internede Vpp

Fin-de-écrivez la détection

– Basculez le peu

– Vote de Data#

Compatibilité d'entrée-sortie de CMOS

Norme de JEDEC

– Tâches de Pin instantanées d'EEPROM

– Compatibilité d'ordre de commande de logiciel

- La structure d'adresse est 11 bits, A10-un0

- Le 6ème autobus de Bloc-effacement écrivent le cycle est 30H

- Le 6ème autobus de Secteur-effacement écrivent le cycle est 50H

Paquets disponibles

– 48 avance TSOP (12mm x 20mm)

– 48 boule TFBGA (8mm x 10mm)

Tous les dispositifs (sans plomb) de non-Pb sont RoHS conforme

 

 

interface de mémoire parallèle de la puce de mémoire instantanée de la taille 64Mb SST39VF6401B-70-4I-EKE

 

 

DESCRIPTION DE PRODUIT

Les dispositifs de SST39VF640xB sont éclair universel de 4M x16 CMOS plus (MPF+) construit avec technologie prietary de SST la pro et performante de CMOS SuperFlash. L'injecteur de perçage d'un tunnel de conception et d'épais-oxyde de cellules de fente-porte atteignent une meilleure fiabilité et un manufacturability comparés aux approches alternatives. Les SST39VF640xB écrivent (pro gramme ou effacement) avec une alimentation de l'énergie 2.7-3.6V. Ces dispositifs se conforment aux tâches de goupille standard de JEDEC pour les souvenirs x16.

Comportant le Word-programme de haute performance, les dispositifs de SST39VF640xB fournissent un temps typique de Word-programme du µsec 7. Ces dispositifs emploient le peu ou l'ing à bascule de scrutin de Data# pour indiquer l'achèvement de l'opération de programme. Au pro tect contre négligent écrivez, ils ont des plans de protection des données de matériel et de logiciel de sur-puce. Conçu, le manu- factured, et examiné pour une gamme étendue d'applications, ces dispositifs sont offerts avec un ance typique garanti d'endur- de 100 000 cycles. La conservation de données est évaluée à plus considérablement que 100 ans.

Les dispositifs de SST39VF640xB approprié aux applications qui exigent la mise à jour commode et économique du programme,

configuration, ou mémoire de données. Pour toutes les applications de système, elles améliorent de manière significative la représentation et la fiabilité, tout en abaissant la puissance. Elles en soi emploient moins d'énergie pendant l'effacement et la programment que des technologies instantanées alternatives. Toute l'énergie consommée est une fonction de la tension, du courant, et de la période appliqués de l'application. Puisque pour n'importe quelle gamme donnée de tension, la technologie de SuperFlash emploie moins actuel pour programmer et a plus peu de temps d'effacement, toute l'énergie consommée pendant n'importe quelle opération d'effacement ou de programme est moins que des technologies instantanées alternatives. Ces dispositifs améliorent également la flexibilité tout en abaissant le coût pour le programme, les données, et les applications de stockage de configuration.

La technologie de SuperFlash fournit l'effacement fixe et les pro temps de gramme, indépendant du nombre de cycles d'effacement/programme qui se sont produits. Par conséquent le logiciel système ou le matériel ne doit pas être modifié ou sous-sollicité comme est nécessaire avec les technologies instantanées alternatives, dont les temps d'effacement et de programme augmentent avec l'effacement accumulé/pro gramme de cycles.

Pour atteindre la haute densité, des conditions de bâti de surface, les dispositifs de SST39VF640xB sont offertes en 48 avance TSOP et 48 paquets de la boule TFBGA. Voir les schémas 1 et 2 pour des tâches de goupille.

 

Opération de dispositif

Des commandes sont utilisées comme moyen de lancer les tions fonctionnels d'opération de mémoire du dispositif. Des commandes sont écrites au dispositif utilisant le microprocesseur standard écrivent des ordres. Un mand de COM est écrit en affirmant le bas de WE# tout en maintenant CE# bas. Le bus d'adresses est verrouillé sur le bord en baisse de WE# ou de CE#, celui qui se produit pour la dernière fois. Le bus de données est verrouillé sur le bord d'augmentation de WE# ou de CE#, celui qui se produit d'abord.

Les SST39VF640xB ont également le mode automatique de puissance faible qui met le dispositif dans un mode veille proche après que des données aient été accédées avec une opération "lecture" valide. Ceci ramène le courant lu par active dedensité double d'I d'en général 9 mA au µA en général 3. Le mode automatique de puissance faible réduit l'active dedensité double de la calorie I de typi- a lu le courant à la gamme de 2 mA/MHz de durée de cycle lue. Le dispositif annule le mode automatique de puissance faible avec n'importe quelle transition d'adresse ou transition de signal de commande employée pour lancer des autres cycle indiqué, sans la pénalité de temps d'accès. Notez que le dispositif n'entre pas l'Automatique-bas mode de puissance après mise sous tension avec CE# jugé solidement bas, jusqu'à ce que la première transition d'adresse ou CE# soit conduite haut.

 

Lisez

L'opération "lecture" du SST39VF640xB est commandée par CE# et OE#, chacun des deux doivent être bas pour que le système obtienne des données des sorties. CE# est employé pour la sélection de dispositif. Quand CE# est haut, la puce est ne pas sélectionner et seulement l'alimentation générale est consommée. OE# est le trol d'escroquerie de sortie et est employé pour déclencher des données des goupilles de sortie. Le bus de données est dans l'état à grande impédance quand CE# ou OE# est haut. Référez-vous au diagramme de synchronisation lu de cycle pour d'autres détails (le schéma 3).

 

Opération de Word-programme

Les SST39VF640xB sont programmés sur une base mot-à-mot. Avant la programmation, le secteur où le mot existe doit être entièrement effacé. L'opération de programme est accomplie dans trois étapes. La première étape est l'ordre de charge de trois-octet pour la protection des données de logiciel. La deuxième étape est de charger l'adresse de mot et les données de mot. Pendant l'opération de Word-programme, les adresses sont verrouillées sur le bord en baisse de CE# ou de WE#, celui qui se produit pour la dernière fois. Les données sont verrouillées sur le bord de montée de CE# ou de WE#, celui qui se produit d'abord. La troisième étape est l'opération interne de programme qui est lancée après le bord de montée du quatrième WE# ou CE#, celui qui se produit d'abord. La pro opération de gramme, une fois que lancée, sera accomplie à moins de 10

µs. Voir les schémas 4 et 5 pour WE# et pro diagrammes de synchronisation d'opération de gramme et schéma commandés par CE# 19 pour des organigrammes. Pendant l'opération de programme, le seul valide lit est vote de Data# et peu de cabillot. Pendant la pro opération interne de gramme, le centre serveur est libre pour effectuer des tâches supplémentaires.

 

 

Toutes les commandes publiées pendant le tion interne d'opéra de programme sont ignorées. Pendant l'ordre de commande, WP# devrait être haute ou bas statiquement tenue.

 

Opération de secteur/Bloc-effacement

L'opération d'effacement de secteur (ou bloc) permet au système d'effacer le dispositif sur (ou bloc-par le bloc) une base secteur par secteur. Le mode de Secteur-effacement et de Bloc-effacement d'offre de SST39VF640xB. L'architecture de secteur est basée sur la taille de secteur uniforme de 2 kilomot. Le mode de Bloc-effacement est basé sur la longueur de bloc uniforme de 32 kilomot. L'opération d'effacement de secteur est lancée en exécutant un ordre de mand de COM de six-octet avec la commande de Secteur-effacement (50H) et l'adresse de secteur (SA) dans le dernier cycle d'autobus. L'opération de Bloc-effacement est lancée en exécutant un ordre de commande de six-octet avec la commande de Bloc-effacement (30H) et l'adresse de bloc (BA) dans le dernier cycle d'autobus. L'adresse de secteur ou de bloc est verrouillée sur le bord en baisse de la sixième impulsion de WE#, alors que la commande (50H ou 30H) est verrouillée sur le bord de montée de la sixième impulsion de WE#. L'opération interne d'effacement commence après la sixième impulsion de WE#. L'opération Fin- Erase peut être déterminée suivre des méthodes de peu de vote ou de cabillot de Data#. Voir les schémas 9 et 10 pour des formes d'onde d'ing de Tim et schéma 23 pour l'organigramme. Tous les mands de COM publiés pendant l'opération de secteur ou de Bloc-effacement sont ignorés. Quand WP# est bas, n'importe quelle tentative à l'effacement de secteur (bloc) le bloc protégé sera ignorée. Pendant l'ordre de commande, WP# devrait être haute ou bas statiquement tenue.

 

Effacement-suspendez/commandes d'Effacement-résumé

L'opération d'Effacement-suspension suspend temporairement une opération de secteur ou de Bloc-effacement permettant de ce fait à des données d'être lues de n'importe quel emplacement de mémoire, ou des données de programme dans n'importe quels secteur/bloc qui n'est pas suspendu pour une opération d'effacement. L'opération est exécutée en publiant un ordre de commande d'octet avec Effacement-suspendent la commande (B0H). Le dispositif entre automatiquement le mode indiqué typiquement à moins de 20

µs après que la commande d'Effacement-suspension ait été publiée. Des données valides peuvent être lues de n'importe quel secteur ou bloc qui n'est pas suspendu d'une opération d'effacement. La lecture à l'emplacement d'adresse dans les secteurs/blocs effacement-suspendus produira DQ2 basculant et DQ6 à « 1". Tandis qu'Effacement-suspendez dedans le mode, on permet une opération de Word-programme excepté le secteur ou le bloc choisi pour Effacement-Suspendre.

Pour reprendre l'opération de Secteur-effacement ou de Bloc-effacement qui a été suspendue le système doit publier la commande de résumé d'effacement. L'opération est exécutée en publiant un ordre de commande d'octet avec la commande de résumé d'effacement (30H) à n'importe quelle adresse dans le dernier ordre d'octet.

 

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