Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

Bon pour citer pour la liste de BOM comprenant IC, diode, transistor, condensateur, résistance et ainsi de suite !

Accueil
Produits
A propos de nous
Visite d'usine
Contrôle de la qualité
contacto
Demande de soumission
Accueil ProduitsPuce d'IC de mémoire

format SST39VF040-70-4C-WHE de mémoire INSTANTANÉE de circuit intégré à échelle réduite de temps d'accès de 70ns

Je suis en ligne une discussion en ligne

format SST39VF040-70-4C-WHE de mémoire INSTANTANÉE de circuit intégré à échelle réduite de temps d'accès de 70ns

Chine format SST39VF040-70-4C-WHE de mémoire INSTANTANÉE de circuit intégré à échelle réduite de temps d'accès de 70ns fournisseur

Image Grand :  format SST39VF040-70-4C-WHE de mémoire INSTANTANÉE de circuit intégré à échelle réduite de temps d'accès de 70ns

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: Rosh
Numéro de modèle: SST39VF040-70-4C-WHE

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
Contact Now
Description de produit détaillée
Statut de partie: Active Type de mémoire: Non-volatile
format de mémoire: Flash Technologie: Flash
Taille de la mémoire: 4Mb (512K X 8) Écrivez la durée de cycle - Word, page: 20µs
Temps d'accès: 70ns Interface de mémoire: Parallèle

 

Mémoire INSTANTANÉE IC 4Mb (512K X 8) 70ns parallèle 32-TSOP de puce d'IC de mémoire de SST39VF040-70-4C-WHE

CARACTÉRISTIQUES :

 

Fiche technique

 

Organisé comme 64K x8/128K x8/256K x8/512K x8

La tension simple a lu et écrit des opérations

– 3.0-3.6V pour SST39LF512/010/020/040

– 2.7-3.6V pour SST39VF512/010/020/040

Fiabilité supérieure

– Résistance : 100 000 cycles (de typique)

– Plus considérablement que 100 ans de conservation de données

Consommation de puissance faible (valeurs typiques à 14 mégahertz)

– Courant actif : 5 mA (de typique)

– Courant de réserve : 1 µA (typique)

Capacité de Secteur-effacement

– Uniforme 4 secteurs de K byte

Jeûnent le temps d'accès en lecture :

– 45 NS pour SST39LF512/010/020/040

– 55 NS pour SST39LF020/040

– 70 et 90 NS pour SST39VF512/010/020/040

Adresse et données verrouillées

Jeûnent l'effacement et l'Octet-programme :

– Temps de Secteur-effacement : Mme 18 (typique)

– Temps de Puce-effacement : Mme 70 (typique)

– Temps d'Octet-programme : 14 µs (typiques)

– Temps de réécriture de puce :

1 seconde (typique) pour SST39LF/VF512 2 secondes (de typique) pour SST39LF/VF010 4 secondes (de typique) pour SST39LF/VF020 8 secondes (de typique) pour SST39LF/VF040

Automatique écrivez la synchronisation

– Génération internede Vpp

Fin-de-écrivez la détection

– Basculez le peu

– Vote de Data#

Compatibilité d'entrée-sortie de CMOS

Norme de JEDEC

– EEPROM instantané Pinouts et ensembles de commande

Paquets disponibles

– 32 avance PLCC

– 32 avance TSOP (8mm x 14mm)

– 48 boule TFBGA (6mm x 8mm)

– 34 boule WFBGA (4mm x 6mm) pour 1M et 2M

Tous les dispositifs (sans plomb) de non-Pb sont RoHS conforme

 

 

format SST39VF040-70-4C-WHE de mémoire INSTANTANÉE de circuit intégré à échelle réduite de temps d'accès de 70ns

 

DESCRIPTION DE PRODUIT

Les SST39LF512/010/020/040 et les SST39VF512/010/020/040 sont 64K x8, 128K x8, 256K x8 et 5124K x8

CMOS (MPF) instantané universel construit avec SST de propriété industrielle, technologie de la haute performance CMOS SuperFlash. L'injecteur neling de tonne de conception et d'épais-oxyde de cellules de fente-porte atteignent une meilleure fiabilité et un manufacturability comparés aux approches alternatives. Les dispositifs de SST39LF512/010/020/040 écrivent (programme ou effacement) avec des 3,0 - alimentation de l'énergie 3.6V. Les dispositifs SST39VF512/010/020/040 écrivent avec une alimentation de l'énergie 2.7-3.6V. Les dispositifs se conforment aux pinouts standard de JEDEC pour les souvenirs x8.

Comporter l'Octet-programme de haute performance, le SST39LF512/010/020/040 et SST39VF512/010/020/

040 dispositifs fournissent un temps maximum d'Octet-programme de 20

µsec. Ces dispositifs emploient le peu à bascule ou le Data# votant au cate d'indi- l'achèvement de l'opération de programme. Pour se protéger contre négligent écrivez, ils ont des plans de protection des données de matériel et de logiciel de sur-puce. Conçu, le manufac- tured, et a déterminé une gamme étendue d'applications, ils sont offerts avec une résistance typique garantie de 10 000 cycles. La conservation de données est évaluée à plus considérablement que 100 ans.

Le SST39LF512/010/020/040 et le SST39VF512/010/

020/040 de dispositifs approprié aux applications qui exigent la mise à jour commode et économique du programme, de la ration de configu-, ou de la mémoire de données. Pour toutes les applications de système, ils

 

 

améliore de manière significative la représentation et la fiabilité, tandis que basse puissance de circlip de type E. Elles en soi emploient moins d'énergie pendant l'effacement et la programment que les gies instantanés alternatifs de technolo-. Toute l'énergie consommée est une fonction de la tension, du courant, et de la période appliqués de l'application. Puisque pour n'importe quelle gamme donnée de tension, la technologie de SuperFlash emploie moins actuel pour programmer et a plus peu de temps d'effacement, toute l'énergie consommée ation pendant n'importe quelle opération d'effacement ou de programme est moins que des technologies instantanées alternatives. Ces dispositifs améliorent également la flexibilité tout en abaissant le coût pour le programme, les données, et les applications de stockage de configuration.

La technologie de SuperFlash fournit l'effacement fixe et les pro temps de gramme, indépendant du nombre de cycles d'effacement/programme qui se sont produits. Par conséquent le logiciel système ou le matériel ne doit pas être modifié ou sous-sollicité comme est nécessaire avec les technologies instantanées alternatives, dont les temps d'effacement et de programme augmentent avec l'effacement accumulé/pro gramme de cycles.

Pour répondre aux exigences extérieures de bâti, les dispositifs SST39LF512/010/020/040 et SST39VF512/010/020/040 sont offerts en 32 avance PLCC et 32 paquets de l'avance TSOP. Les SST39LF/VF010 et les SST39LF/VF020 sont également offerts dans 48 un paquet de la boule TFBGA. Voir les schémas 1, 2, 3, et 4 pour des tâches de goupille.

format SST39VF040-70-4C-WHE de mémoire INSTANTANÉE de circuit intégré à échelle réduite de temps d'accès de 70nsOpération de dispositif

Des commandes sont utilisées comme moyen de lancer les tions fonctionnels d'opération de mémoire du dispositif. Des commandes sont écrites au dispositif utilisant le microprocesseur standard écrivent des ordres. Un mand de COM est écrit en affirmant le bas de WE# tout en maintenant CE# bas. Le bus d'adresses est verrouillé sur le bord en baisse de WE# ou de CE#, celui qui se produit pour la dernière fois. Le bus de données est verrouillé sur le bord d'augmentation de WE# ou de CE#, celui qui se produit d'abord.

 

Lu

L'opération "lecture" du dispositif SST39LF512/010/020/040 et SST39VF512/010/020/040 est commandée par CE# et OE#, chacun des deux doivent être bas pour que le système obtienne des données des sorties. CE# est employé pour la sélection de dispositif. Quand CE# est haut, la puce est ne pas sélectionner et seulement l'alimentation générale est consommée. OE# est le contrôle de sortie et est employé pour déclencher des données des goupilles de sortie. Le bus de données est dans l'état élevé d'ance d'imped- quand CE# ou OE# est haut. Référez-vous au diagramme de synchronisation lu de cycle pour d'autres détails (le schéma 5).

 

Opération d'Octet-programme

Le SST39LF512/010/020/040 et le SST39VF512/010/

020/040 sont programmés sur une base d'octet-par-octet. Avant la programmation, le secteur où l'octet existe doit être entièrement effacé. L'opération de programme est accomplie dans trois étapes. La première étape est l'ordre de charge de trois-octet pour la protection des données de logiciel. La deuxième étape est de charger l'adresse d'octet et les données d'octet. Pendant l'opération d'Octet-programme, les adresses sont verrouillées sur le bord en baisse de CE# ou de WE#, celui qui se produit pour la dernière fois. Les données sont verrouillées sur le bord de montée de CE# ou de WE#, celui qui se produit d'abord. La troisième étape est l'opération interne de programme qui est lancée après le bord de montée du quatrième WE# ou CE#, celui qui se produit d'abord. L'opération de programme, une fois que lancée, sera accomplie, à moins de 20 µs. Voir les schémas 6 et 7 les diagrammes de synchronisation d'opération de programme pour de WE# et de CE# gestion et le schéma 16 pour des organigrammes. Pendant l'opération de programme, le seul valide lit est peu de gle de vote et de pouvoir adiathermique de Data#. Pendant l'opération interne de programme, le centre serveur est libre pour effectuer des tâches supplémentaires. Toutes les commandes écrites pendant l'opération interne de programme seront ignorées.

 

Opération de Secteur-effacement

L'opération de Secteur-effacement permet au système d'effacer le dispositif sur une base secteur par secteur. L'architecture de secteur est basée sur la taille de secteur uniforme du K byte 4. L'opération d'effacement de secteur est lancée en exécutant un ordre de mand de COM de six-octet avec la commande de Secteur-effacement (30H) et l'adresse de secteur (SA) dans le dernier cycle d'autobus. L'adresse de secteur est verrouillée sur le bord en baisse de la sixième impulsion de WE#, alors que la commande (30H) est verrouillée sur la montée

bord de la sixième impulsion de WE#. L'opération interne d'effacement commence après la sixième impulsion de WE#. Le Fin-de-effacement peut être déterminé utilisant le vote ou le meth ODS de Data# de peu de cabillot. Voir le schéma 10 pour des formes d'onde de synchronisation. Toutes les commandes écrites pendant l'opération de Secteur-effacement seront ignorées.

 

Opération de Puce-effacement

Le SST39LF512/010/020/040 et le SST39VF512/010/

020/040 de dispositifs fournissent une opération de Puce-effacement, qui permet à l'utilisateur d'effacer la rangée entière de mémoire au “1" état de s. C'est utile quand le dispositif entier doit être rapidement effacé.

L'opération de Puce-effacement est lancée en exécutant de l'ordre de commande de protection des données de logiciel six octets avec la commande de Puce-effacement (10H) avec l'adresse 5555H dans le dernier ordre d'octet. L'opération interne d'effacement commence par le bord de montée du sixième WE# ou CE#, celui qui se produit d'abord. Pendant l'opération interne d'effacement, le seul valide lu est vote à bascule de peu ou de Data#. Voir le tableau 4 pour l'ordre de commande, le schéma 11 pour le diagramme de synchronisation, et le schéma 19 pour l'organigramme. Toutes les commandes écrites pendant l'opération d'effacement de puce seront ignorées.

 

Écrivez la détection de statut d'opération

Le SST39LF512/010/020/040 et le SST39VF512/010/

020/040 de dispositifs fournissent deux moyens de logiciel de détecter l'achèvement d'un cycle d'inscription (programme ou effacement), afin d'optimiser le système écrivent la durée de cycle. Le tion de detec- de logiciel inclut deux bits de statut : Peu degle du vote (DQ7)etdupouvoir adiathermiquede Data#(DQ6). Lemodededétectionde Fin-de-inscriptionest permisaprèsleborddemontéedeWE#quilanceleprogrammeouopérationinterned'effacement.

L'achèvement réel du non-volatile écrivent est bon sens d'asynchro- avec le système ; donc, un vote de Data# ou le peu de cabillot lu peut être simultané avec l'achèvement du cycle d'inscription. Si ceci se produit, le système peut probablement obtenir un résultat incorrect, c.-à-d., les données valides peuvent sembler escroquer le flict avec ou DQ 7 ou DQ 6.afin d'empêcher le faux rejet, si un résultat incorrect se produit, la routine de logiciel devrait inclure une boucle pour lire l'emplacement accédé des deux (2) périodes supplémentaires. Si chacun des deux lisent sont valides, alors le dispositif a accompli le cycle d'inscription, autrement le tion de rejec- est valide.

 

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

Téléphone: +8613760106370

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)