Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

Bon pour citer pour la liste de BOM comprenant IC, diode, transistor, condensateur, résistance et ainsi de suite !

Accueil
Produits
A propos de nous
Visite d'usine
Contrôle de la qualité
contacto
Demande de soumission
Accueil ProduitsPuce d'IC de mémoire

alimentation générale 7mW CMOS IS61WV25616BLL-10TLI de réserve de puce d'IC de la mémoire 4Mb parallèle basse

Je suis en ligne une discussion en ligne

alimentation générale 7mW CMOS IS61WV25616BLL-10TLI de réserve de puce d'IC de la mémoire 4Mb parallèle basse

Chine alimentation générale 7mW CMOS IS61WV25616BLL-10TLI de réserve de puce d'IC de la mémoire 4Mb parallèle basse fournisseur

Image Grand :  alimentation générale 7mW CMOS IS61WV25616BLL-10TLI de réserve de puce d'IC de la mémoire 4Mb parallèle basse

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: Rosh
Numéro de modèle: IS61WV25616BLL-10TLI

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
Contact Now
Description de produit détaillée
Statut de partie: Active Type de mémoire: Volatil
format de mémoire: SRAM Technologie: SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire: 4Mb (256K X 16) Écrivez la durée de cycle - Word, page: 10ns
Temps d'accès: 10ns Interface de mémoire: Parallèle

 

Puce SRAM d'IC de mémoire d'IS61WV25616BLL-10TLI - parallèle asynchrone 10ns 44-TSOP II d'IC 4Mb (256K X 16) de mémoire

 

CARACTÉRISTIQUES

GRANDE VITESSE : (IS61/64WV25616ALL/BLL)

• Temps d'accès haut débit : 8, 10, 20 NS

• Bas Active Power : 85 mW (typiques)

• Basse alimentation générale : remplaçant de 7 mW CMOS (typique)

PUISSANCE FAIBLE : (IS61/64WV25616ALS/BLS)

• Temps d'accès haut débit : 25, 35, 45 NS

• Bas Active Power : 35 mW (typiques)

• Basse alimentation générale : 0,6 remplaçants de mW CMOS (typique)

• Alimentation d'énergie simple

Densité double 1.65V de V à 2.2V (IS61WV25616Axx)

Densité double 2.4V de V à 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)

• Opération entièrement statique : aucune horloge ou ne régénèrent requis

• Trois sorties d'état

• Contrôle de données pour les octets supérieurs et inférieurs

• Appui industriel et des véhicules à moteur de la température

• Disponible sans plomb

SCHÉMA FONCTIONNEL FONCTIONNEL

DESCRIPTION

L'ISSI IS61WV25616Axx/Bxx et IS64WV25616Bxx

sont ultra-rapides, 4 194 304 mémoires RAM statiques de bit organisées en tant que 262 144 mots par 16 bits. Il est fabriqué utilisant la technologie performante du CMOS d'ISSI. Ce pro cess fortement fiables ajoutés aux techniques de conception innovatrices de circuit,

rendements performants et vices de la consommation De de puissance faible.

 

Quand le CE est HAUT (ne pas sélectionner), le dispositif assume un mode veille auquel la dissipation de puissance peut être réduite vers le bas avec des niveaux saisie de CMOS.

 

L'ajout de mémoire facile est fourni à l'aide de la puce permettent et produire permettez les entrées, le CE et l'OE. Le BAS actif écrivent permettent l'écriture de contrôles de (WE) et la lecture de la mémoire. Un octet de données permet l'octet supérieur (UB) et l'accès inférieur de (LB) d'octet.

 

Les IS61WV25616Axx/Bxx et les IS64WV25616Bxx sont empaquetés dans le type II de la goupille TSOP de la norme 44 de JEDEC et 48 goupillent mini BGA (6mm x 8mm).

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)

VDENSITÉ DOUBLE = 3.3V + 5%

 

Symbole Paramètre Conditions d'essai Minimal. Maximum. Unité
VL'OH Haute tension de sortie Vdensité double = mn, Il'OH = – 4,0 mA 2,4 V
VOL BASSE tension de sortie Vdensité double = mn, IOL = 8,0 mA 0,4 V
VIH Haute tension d'entrée   2 VDENSITÉ DOUBLE + 0,3 V
VL'IL BASSE tension d'entrée (1)   – 0,3 0,8 V
ILI Fuite d'entrée £ V DE LA TERREDANS LADENSITÉ DOUBLE DU £ V – 1 1 µA
ILO Fuite de sortie Densité double du £ Vdu £ V de la terre, sorties handicapées – 1 1 µA

Note :

1. Vl'IL (minimale) = – C.C 0.3V ; Vl'IL (minimale) = – C.A. 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">

VIH (maximum) = V C.Cdensité double + 0.3V ; VIH (maximum) = V C.A.densité double + 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)

VDENSITÉ DOUBLE = 2.4V-3.6V

 

Symbole Paramètre Conditions d'essai Minimal. Maximum. Unité
VL'OH Haute tension de sortie Vdensité double = mn, Il'OH = – 1,0 mA 1,8 V
VOL BASSE tension de sortie Vdensité double = mn, IOL = 1,0 mA 0,4 V
VIH Haute tension d'entrée   2,0 VDENSITÉ DOUBLE + 0,3 V
VL'IL BASSE tension d'entrée (1)   – 0,3 0,8 V
ILI Fuite d'entrée £ V DE LA TERREDANS LADENSITÉ DOUBLE DU £ V – 1 1 µA
ILO Fuite de sortie Densité double du £ Vdu £ V de la terre, sorties handicapées – 1 1 µA

Note :

1. Vl'IL (minimale) = – C.C 0.3V ; Vl'IL (minimale) = – C.A. 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">

VIH (maximum) = V C.Cdensité double + 0.3V ; VIH (maximum) = V C.A.densité double + 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)

VDENSITÉ DOUBLE = 1.65V-2.2V

 

Symbole Paramètre Conditions d'essai VDENSITÉ DOUBLE Minimal. Maximum. Unité
VL'OH Haute tension de sortie Il'OH = -0,1 mA 1.65-2.2V 1,4 V
VOL BASSE tension de sortie IOL = 0,1 mA 1.65-2.2V 0,2 V
VIH Haute tension d'entrée   1.65-2.2V 1,4 VDENSITÉ DOUBLE + 0,2 V
VIL (1) BASSE tension d'entrée   1.65-2.2V – 0,2 0,4 V
ILI Fuite d'entrée £ V DE LA TERREDANS LADENSITÉ DOUBLE DU £ V – 1 1 µA
ILO Fuite de sortie Densité double du £ Vdu £ V de la terre, sorties handicapées – 1 1 µA

Note :

1. Vl'IL (minimale) = – C.C 0.3V ; Vl'IL (minimale) = – C.A. 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">

VIH (maximum) = V C.Cdensité double + 0.3V ; VIH (maximum) = V C.A.densité double + 2.0V (durée d'impulsion < 10="" ns="">

CONDITIONS D'ESSAI À C.A.

 

Paramètre Unité Unité Unité
  (2.4V-3.6V) (3.3V +10%) (1.65V-2.2V)
InputPulseLevel 0Vto3V 0Vto3V 0Vto1.8V
Hausse d'entrée et temps d'automne 1V/ NS 1V/ NS 1V/ NS
AndReferenceLevel d'InputandOutputTiming (référencede V) 1.5V 1.5V 0.9V
OutputLoad Voir les schémas 1 et 2 Voir les schémas 1 et 2 Voir les schémas 1 et 2

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

Téléphone: +8613760106370

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)