Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

Bon pour citer pour la liste de BOM comprenant IC, diode, transistor, condensateur, résistance et ainsi de suite !

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SRAM - Kit asynchrone de circuit intégré, panneau IS61LV25616AL-10TL de circuit intégré de mémoire

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SRAM - Kit asynchrone de circuit intégré, panneau IS61LV25616AL-10TL de circuit intégré de mémoire

Chine SRAM - Kit asynchrone de circuit intégré, panneau IS61LV25616AL-10TL de circuit intégré de mémoire fournisseur

Image Grand :  SRAM - Kit asynchrone de circuit intégré, panneau IS61LV25616AL-10TL de circuit intégré de mémoire

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: Rosh
Numéro de modèle: IS61LV25616AL-10TL

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
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Description de produit détaillée
Statut de partie: Active Type de mémoire: Volatil
format de mémoire: SRAM Technologie: SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire: 4Mb (256K X 16) Écrivez la durée de cycle - Word, page: 10ns
Temps d'accès: 10ns Interface de mémoire: Parallèle

 

Puce SRAM d'IC de mémoire d'IS61LV25616AL-10TL - parallèle asynchrone 10ns 44-TSOP II d'IC 4Mb (256K X 16) de mémoire

 

256K X 16 CMOS ASYNCHRONE À GRANDE VITESSE MÉMOIRE RAM STATIQUE AVEC L'APPROVISIONNEMENT 3.3V

 

 

DÉCEMBRE 2011

 

 

 

CARACTÉRISTIQUES

• Temps d'accès haut débit :

— 10, 12 NS

• Opération de puissance faible de CMOS

• Le bas support-par la puissance :

— Moins de 5 mA (type.) CMOS support-par

• Niveaux d'interface compatibles de TTL

• Alimentation de l'énergie 3.3V simple

• Opération entièrement statique : aucune horloge ou ne régénèrent requis

• Trois sorties d'état

• Contrôle de données pour les octets supérieurs et inférieurs

• La température industrielle disponible

• Disponible sans plomb

 

 

 

 

SCHÉMA FONCTIONNEL FONCTIONNEL

DESCRIPTION

L'ISSI IS61LV25616AL est un ultra-rapide, 4 194 304 le bit MÉMOIRE RAM statique organisée en tant que 262 144 mots par 16 bits. Il est fabriqué utilisant le technol- performant du CMOS d'ISSI ogy. Ce processus fortement fiable ajouté aux techniques de conception innovatrices de circuit, aux rendements performants et aux dispositifs de consommation de puissance faible.

 

Quand le CE est HAUT (ne pas sélectionner), le dispositif assume un mode veille auquel la dissipation de puissance peut être re duced vers le bas avec des niveaux saisie de CMOS.

 

L'ajout de mémoire facile est fourni à l'aide de la puce permettent et produire permettez les entrées, le CE et l'OE. Le BAS actif écrivent permettent l'écriture de contrôles de (WE) et la lecture de la mémoire. Un octet de données permet l'octet supérieur (UB) et l'accès inférieur de (LB) d'octet.

 

L'IS61LV25616AL est empaqueté dans la borne de la norme 44 de JEDEC SOJ de 400 mils, 44 le type II, 44 la goupille LQFP de la goupille TSOP et 48 goupillent mini BGA (8mm x 10mm).

CAPACITÉS ABSOLUES (1)

Symbole Paramètre Valeur Unité
Terme V Tension terminale en ce qui concerne la terre – 0,5 à VDD+0.5 V
stgde t Température de stockage – 65 à +150 °C
Pt Dissipation de puissance 1,0 W

Note :

1. L'effort plus grand que ceux énumérés sous des CAPACITÉS ABSOLUES peut endommager permanent le dispositif. C'est un effort évaluant seulement et l'opération fonctionnelle du dispositif à ces derniers ou d'aucune autre condition au-dessus de ceux indiqués dans les sections opérationnelles de ces spécifications n'est pas impliquée. L'exposition aux conditions de capacité absolue pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité.

 

 

 

 

 

 

 

 

SRAM - Kit asynchrone de circuit intégré, panneau IS61LV25616AL-10TL de circuit intégré de mémoirePLAGE DE FONCTIONNEMENT

 

 

VDD

 

SRAM - Kit asynchrone de circuit intégré, panneau IS61LV25616AL-10TL de circuit intégré de mémoireSRAM - Kit asynchrone de circuit intégré, panneau IS61LV25616AL-10TL de circuit intégré de mémoireSRAM - Kit asynchrone de circuit intégré, panneau IS61LV25616AL-10TL de circuit intégré de mémoireTempérature ambiante 10ns 12ns 0°C commercial de gamme à +70°C 3.3V +10%, -5% 3.3V + 10% industriel – 40°C à +85°C 3.3V +10%, -5% 3.3V + 10%

 

 

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)

Symbole Paramètre Conditions d'essai   Minimal. Maximum. Unité
Voh Haute tension de sortie Vdensité double = mn, Ioh = – 4,0 mA   2,4 V
OL V BASSE tension de sortie Vdensité double = mn, oLd'I = 8,0 mA   0,4 V
VIH Haute tension d'entrée     2,0 VDENSITÉ DOUBLE + 0,3 V
VL'IL BASSE tension d'entrée (1)     – 0,3 0,8 V
ILI Fuite d'entrée £ V de la terredans ladensité double du ≤ V COM. – 2 2 µA
      Ind. – 5 5  
ILo Fuite de sortie Densité double du £ Vdu £ V de la terre COM. – 2 2 µA
    Sorties handicapées Ind. – 5 5  

Notes :

1. Vl'IL (minimale) = – 2.0V pour la durée d'impulsion moins de 10 NS.

CARACTÉRISTIQUES d'ALIMENTATION d'ÉNERGIE (1) (sur la plage de fonctionnement)

 

Symbole

 

Paramètre

 

Conditions d'essai

-10

Minimal.

 

Maximum.

-12

Minimal.

 

Maximum.

 

Unité

Icc Opération dynamique de VDD Vdensité double = maximum, COM. 100 90 mA
  Courant d'approvisionnement I = 0 mA, f = fmaX Ind. 110 100  
Sb I Courant de réserve de TTL Vdensité double = maximum, COM. 50 45 mA
  (Entrées de TTL)

Vdans = VIH ou VIL Ind.

³ VIH, f = fmaX de la CE.

55 50  
ISb1 Courant de réserve de TTL Vdensité double = maximum, COM. 20 20 mA
  (Entrées de TTL)

Vdans = VIH ou VIL Ind.

³ VIH, f de la CE = 0

25 25  
ISb2 Remplaçant de CMOS Vdensité double = maximum, COM. 15 15 mA
  Courant (entrées de CMOS)

Densité double du ³ Vde la CE – 0.2V, Ind. Vdans ladensité double du ³ V – 0.2V, ou

Vdans le ≤ 0.2V, f = 0

20 20  

Note :

1. À f = fmaX, des entrées d'adresse et de données font un cycle à la fréquence maximum, f = 0 ne signifie aucune ligne d'entrée changement. Produit ombragé de secteur à l'étude

 

 

 

 

CAPACITÉ (1)

Symbole Paramètre Conditions Maximum. Unité
cdedans Capacité d'entrée Vdans = 0V 6 PF
c Capacité d'entrée-sortie V = 0V 8 PF

Note :

1. Examiné au commencement et après que tous changements de conception ou de processus qui peuvent affecter ces paramètres.

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

Téléphone: +8613760106370

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