Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

Bon pour citer pour la liste de BOM comprenant IC, diode, transistor, condensateur, résistance et ainsi de suite !

Accueil
Produits
A propos de nous
Visite d'usine
Contrôle de la qualité
contacto
Demande de soumission
Accueil ProduitsPuce d'IC de transistor

N - Composant électrique d'IC de la Manche, l'électronique intégrée par Digital IRFP250NPBF

Je suis en ligne une discussion en ligne

N - Composant électrique d'IC de la Manche, l'électronique intégrée par Digital IRFP250NPBF

Chine N - Composant électrique d'IC de la Manche, l'électronique intégrée par Digital IRFP250NPBF fournisseur

Image Grand :  N - Composant électrique d'IC de la Manche, l'électronique intégrée par Digital IRFP250NPBF

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: Rosh
Numéro de modèle: IRFP250NPBF

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
Contact Now
Description de produit détaillée
Statut de partie: Active Type de FET: N-Canal
Technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal) Vidangez à la tension de source (Vdss): 200V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: 30A (comité technique) Conduisez la tension (le RDS maximum dessus, la minute le RDS dessus): 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: 4V @ 250µA Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs: 123nC @ 10V

 
N-canal 200V 30A (comité technique) 214W (comité technique) de puce d'IC de transistor d'IRFP250NPBF par le trou TO-247AC
 

Statut de partie

Actif

 

Type de FET

N-canal

 

Technologie

Transistor MOSFET (oxyde de métal)

 

Vidangez à la tension de source (Vdss)

200V

 

Actuel - drain continu (identification) @ 25°C

30A (comité technique)

 

Conduisez la tension (le RDS maximum dessus, la minute le RDS dessus)

10V

 

Identification de Vgs (Th) (maximum) @

4V @ 250µA

 

Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs

123nC @ 10V

 

Vgs (maximum)

±20V

 

Capacité (Ciss) (maximum) @ Vds d'entrée

2159pF @ 25V

 

Caractéristique de FET

-

 

Dissipation de puissance (maximum)

214W (comité technique)

 

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs

75 mOhm @ 18A, 10V

 

Température de fonctionnement

-55°C | 175°C (TJ)

 

Type de support

Par le trou

 

Paquet de dispositif de fournisseur

TO-247AC

 

Paquet/cas

TO-247-3

 
• Technologie avancée de Proceçç
• Estimation dynamique de dv/dt
• température de fonctionnement 175°C
• Commutation de Façt
• Entièrement avalanche évaluée
• Eaçe de la parallélisation
• Commande simple Requirementç
• Sans plomb
 
 
La cinquième génération HEXFETç du redresseur international utilisent le techniqueç proceççing avancé pour réaliser extrêmement - le bas sur-reçiçtance par le secteur de çilicon. Avantage de Thiç, combiné avec le façt çwitching le deçign çpeed et robuste de dispositif que la puissance MOSFETç de HEXFET sont bien connue pour, le provideç le deçigner avec un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'uçe dans une grande variété d'applicationç.
 
L'iç du paquet TO-247 préféré pour l'applicationç commercial-induçtrial où le levelç de puissance plus élevée excluent l'uçe du deviceç TO-220. L'iç TO-247 çimilar mais le çuperior au becauçe plus tôt du paquet TO-218 de l'itç içolated le trou de montage.
 
 

 

Paramètre

Maximum.

Unités

Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C

Courant de drain de Continuouç, VGS @ 10V

30

 
A

Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C

Courant de drain de Continuouç, VGS @ 10V

21

IDM

º de courant de drain de Pulçed

120

Palladium @TC = 25°C

Puissance Diççipation

214

W

 

Facteur de sous-sollicitation linéaire

1,4

W/°C

VGS

Tension de Porte-à-source

± 20

V

EAS

Avalanche simple Energyº de Pulçe

315

MJ

IAR

Avalanche Currentº

30

A

OREILLE

Avalanche répétitive Energyº

21

MJ

dv/dt

© maximal de la récupération dv/dt de diode

8,6

V/nç

TJ
TSTG

Jonction fonctionnante et
Température ambiante de température de stockage

-55 à +175

 
°C

 

La température de soudure, pour le çecondç 10

300 (1.6mm du caçe)

 

Couple, 6-32 ou çrew M3 de support

10 livres-force•dedans (1.1N•m)

 

 
 

 

Paramètre

Type.

Maximum.

Unités

RqJC

Jonction-à-Caçe

– – –

0,7

 
°C/W

RqCS

Caçe-à-évier, plat, surface de Greaçed

0,24

– – –

RqJA

Jonction-à-ambiant

– – –

40

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

Téléphone: +8613760106370

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)