Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

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Drain actif de puce d'IC de transistor de statut de partie à la tension 200V IRF640N de source

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Drain actif de puce d'IC de transistor de statut de partie à la tension 200V IRF640N de source

Chine Drain actif de puce d'IC de transistor de statut de partie à la tension 200V IRF640N de source fournisseur

Image Grand :  Drain actif de puce d'IC de transistor de statut de partie à la tension 200V IRF640N de source

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: Rosh
Numéro de modèle: IRF640N

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
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Description de produit détaillée
Statut de partie: Active Type de FET: N-Canal
Technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal) Vidangez à la tension de source (Vdss): 200V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: 18A (comité technique) Conduisez la tension (le RDS maximum dessus, la minute le RDS dessus): 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: 4V @ 250µA Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs: 67nC @ 10V

 

N-canal 200V 18A (comité technique) 150W (comité technique) de puce d'IC de transistor d'IRF640N par le trou TO-220AB

 

Statut de partie Actif  
Type de FET N-canal  
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)  
Vidangez à la tension de source (Vdss) 200V  
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 18A (comité technique)  
Conduisez la tension (le RDS maximum dessus, la minute le RDS dessus) 10V  
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 4V @ 250µA  
Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs 67nC @ 10V  
Vgs (maximum) ±20V  
Capacité (Ciss) (maximum) @ Vds d'entrée 1160pF @ 25V  
Caractéristique de FET -  
Dissipation de puissance (maximum) 150W (comité technique)  
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 150 mOhm @ 11A, 10V  
Température de fonctionnement -55°C | 175°C (TJ)  
Type de support Par le trou  
Paquet de dispositif de fournisseur TO-220AB  
Paquet/cas TO-220-3

 

les transistors MOSFET de puissance de la génération HEXFET® d'ifth du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de commutation rapide et la conception robuste de dispositif que les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus pour, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.

 

Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie.

Le D2Pak est un paquet extérieur de puissance de bâti capable de serviable meurt des tailles jusqu'à HEX-4. Il fournit la capacité de la puissance la plus élevée et le plus bas possible sur la résistance en n'importe quel paquet extérieur existant de bâti. Le D2Pak convient aux applications à forte intensité en raison de sa basse résistance interne de connexion et peut absorber jusqu'à 2.0W dans une application extérieure typique de bâti.

La version d'à travers-trou (IRF640NL) est disponible pour bas.

  Paramètre Maximum. Unités
ID @ TC = 25°C Courant continu de drain, VGS @ 10V 18

 

A

ID @ TC = 100°C Courant continu de drain, VGS @ 10V 13
IDM º pulsé de courant de drain 72
@Tde PDC = 25°C Dissipation de puissance 150 W
  Facteur de sous-sollicitation linéaire 1,0 W/°C
VGS Tension de Porte-à-source ± 20 V
EAS Avalanche simple Energyº d'impulsion 247 MJ
IAR Avalanche Currentº 18 A
OREILLE Avalanche répétitive Energyº 15 MJ
dv/dt ® maximal de la récupération dv/dt de diode 8,1 V/ns

TJ

TSTG

Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage -55 à +175

 

°C

  La température de soudure, pendant 10 secondes 300 (1.6mm du cas)
  Couple, 6-32 ou srew® M3 de support 10 livres-force•dedans (1.1N•m)  

 

  Paramètre Minimal. Type. Maximum. Unités Conditions
V (BR) SAD Tension claque de Drain-à-source 200 – – – – – – V VGS = 0V, ID = 250µA
DV (BR) DSS/DTJ Temp de tension claque. Coefficient – – – 0,25 – – – V/°C Référence à 25°C, ID = 1mA
Le RDS (dessus) Sur-résistance statique de Drain-à-source – – – – – – 0,15 W VGS = 10V, © ID = 11A
VGS (Th) Tension de seuil de porte 2,0 – – – 4,0 V VDS = VGS, ID = 250µA
gfs Transconductance en avant 6,8 – – – – – – S VDS = 50V, © ID = 11A
IDSS Courant de fuite de Drain-à-source – – – – – – 25 µA VDS = 200V, VGS = 0V
– – – – – – 250 VDS = 160V, VGS = 0V, TJ = 150°C
IGSS La Porte-à-source expédient la fuite – – – – – – 100 Na VGS = 20V
Fuite inverse de Porte-à-source – – – – – – -100 VGS = -20V
Qg Charge totale de porte – – – – – – 67

 

OR

ID = 11A VDS = 160V

VlesGS = les 10V, voient fig. 6 et 13

Qgs Charge de Porte-à-source – – – – – – 11
Qgd Charge de Porte-à-drain (« Miller ») – – – – – – 33
le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture – – – 10 – – –

 

NS

VDENSITÉ DOUBLE = 100V ID = 11A RG = 2.5W

RD = 9.0W, voient fig. 10 ©

tr Temps de montée – – – 19 – – –
le TD () Temps de retard d'arrêt – – – 23 – – –
tf Temps de chute – – – 5,5 – – –
LD Inductance interne de drain – – – 4,5 – – –  

Entre l'avance, D

6mm (0.25in.)

du paquet G

et le centre de meurent le contact S

LS Inductance interne de source – – – 7,5 – – – NH
Ciss Capacité d'entrée – – – 1160 – – –

 

 

PF

VGS = 0V VDS = 25V

le ƒ = les 1.0MHz, voient fig. 5

Coss Capacité de sortie – – – 185 – – –
Crss Capacité inverse de transfert – – – 53 – – –

 

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

Téléphone: +8613760106370

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