Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

Bon pour citer pour la liste de BOM comprenant IC, diode, transistor, condensateur, résistance et ainsi de suite !

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Composants électroniques IRF5305PBF de puce de transistor par le type de support de trou

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Composants électroniques IRF5305PBF de puce de transistor par le type de support de trou

Chine Composants électroniques IRF5305PBF de puce de transistor par le type de support de trou fournisseur

Image Grand :  Composants électroniques IRF5305PBF de puce de transistor par le type de support de trou

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: RoHS
Numéro de modèle: IRF5305PBF

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
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Description de produit détaillée
Statut de partie: Active Type de FET: P-Canal
Technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal) Vidangez à la tension de source (Vdss): 55V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: 31A (comité technique) Conduisez la tension (le RDS maximum dessus, la minute le RDS dessus): 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: 4V @ 250µA Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs (maximum): ±20V

 

P-canal 55V 31A (comité technique) 110W (comité technique) de puce d'IC de transistor d'IRF5305PBF par le trou TO-220AB

 

Statut de partie Actif  
Type de FET P-canal  
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)  
Vidangez à la tension de source (Vdss) 55V  
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 31A (comité technique)  
Conduisez la tension (le RDS maximum dessus, la minute le RDS dessus) 10V  
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 4V @ 250µA  
Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs 63nC @ 10V  
Vgs (maximum) ±20V  
Capacité (Ciss) (maximum) @ Vds d'entrée 1200pF @ 25V  
Caractéristique de FET -  
Dissipation de puissance (maximum) 110W (comité technique)  
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 60 mOhm @ 16A, 10V  
Température de fonctionnement -55°C | 175°C (TJ)  
Type de support Par le trou  
Paquet de dispositif de fournisseur TO-220AB  
Paquet/cas TO-220-3

 

• technologie transformatrice avancée

  • Estimation dynamique de dv/dt
  • température de fonctionnement 175°C
  • Commutation rapide
  • P-canal
  • Entièrement avalanche évaluée
  • Sans plomb

Description

La cinquième génération HEXFETs du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de commutation rapide et la conception robuste de dispositif que les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus pour, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.

 

Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie.

 

  Paramètre Maximum. Unités
ID @ TC = 25°C Courant continu de drain, VGS @ -10V -31

 

A

ID @ TC = 100°C Courant continu de drain, VGS @ -10V -22
IDM © pulsé de courant de drain -110
@Tde PDC = 25°C Dissipation de puissance 110 W
  Facteur de sous-sollicitation linéaire 0,71 W/°C
VGS Tension de Porte-à-source ± 20 V
EAS Avalanche simple Energy© d'impulsion 280 MJ
IAR Avalanche Current© -16 A
OREILLE Avalanche répétitive Energy© 11 MJ
dv/dt © maximal de la récupération dv/dt de diode -5,0 V/ns

TJ

TSTG

Jonction fonctionnante et

Température ambiante de température de stockage

-55 + à 175

 

°C

  La température de soudure, pendant 10 secondes 300 (1.6mm du cas)
  Couple, 6-32 ou srew M3 de support 10 livres-force•dedans (1.1N•m)  

 

  Paramètre Type. Maximum. Unités
RqJC Jonction-à-cas – – – 1,4

 

°C/W

RqCS Cas-à-évier, surface plate et graissée 0,50 – – –
RqJA Jonction-à-ambiant – – – 62

 

  Paramètre Minimal. Type. Maximum. Unités Conditions
V (BR) SAD Tension claque de Drain-à-source -55 – – – – – – V VGS = 0V, ID = -250µA
DV (BR) DSS/DTJ Temp de tension claque. Coefficient – – – -0,034 – – – V/°C Référence à 25°C, ID = -1mA
Le RDS (dessus) Sur-résistance statique de Drain-à-source – – – – – – 0,06 W VGS = -10V, ID = ® DE -16A
VGS (Th) Tension de seuil de porte -2,0 – – – -4,0 V VDS = VGS, ID = -250ΜA
gfs Transconductance en avant 8,0 – – – – – – S VDS = -25V, ID = -16A
IDSS Courant de fuite de Drain-à-source – – – – – – -25 µA VDS = -55V, VGS = 0V
– – – – – – -250 VDS = -44V, VGS = 0V, TJ = 150°C
IGSS La Porte-à-source expédient la fuite – – – – – – 100 Na VGS = 20V
Fuite inverse de Porte-à-source – – – – – – -100 VGS = -20V
Qg Charge totale de porte – – – – – – 63

 

OR

ID = -16A VDS = -44V

VlesGS = les -10V, voient fig. 6 et le ® 13

Qgs Charge de Porte-à-source – – – – – – 13
Qgd Charge de Porte-à-drain (« Miller ») – – – – – – 29
le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture – – – 14 – – –

 

NS

VDENSITÉ DOUBLE = -28V ID = -16A RG = 6.8W

RD = 1.6W, voient fig. 10 ®

tr Temps de montée – – – 66 – – –
le TD () Temps de retard d'arrêt – – – 39 – – –
tf Temps de chute – – – 63 – – –
LD Inductance interne de drain – – – 4,5 – – –

 

NH

Entre l'avance, D

6mm (0.25in.)

du paquet G

et le centre de meurent le contact S

LS Inductance interne de source – – – 7,5 – – –
Ciss Capacité d'entrée – – – 1200 – – –

 

PF

VGS = 0V VDS = -25V

le ƒ = les 1.0MHz, voient fig. 5

Coss Capacité de sortie – – – 520 – – –
Crss Capacité inverse de transfert – – – 250 – – –

 

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

Téléphone: +8613760106370

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