Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

Bon pour citer pour la liste de BOM comprenant IC, diode, transistor, condensateur, résistance et ainsi de suite !

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Puce -55℃ - température de fonctionnement 175℃ TO-220AB d'IC de transistor d'IRF3205PBF

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Puce -55℃ - température de fonctionnement 175℃ TO-220AB d'IC de transistor d'IRF3205PBF

Chine Puce -55℃ - température de fonctionnement 175℃ TO-220AB d'IC de transistor d'IRF3205PBF fournisseur

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Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: RoHS
Numéro de modèle: IRF3205PBF

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
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Description de produit détaillée
Statut de partie: Active Type de FET: N-Canal
Technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal) Vidangez à la tension de source (Vdss): 55V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: 110A (comité technique) Conduisez la tension (le RDS maximum dessus, la minute le RDS dessus): 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: 4V @ 250µA Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs: 146nC @ 10V

 

N-canal 55V 110A (comité technique) 200W (comité technique) de puce d'IC de transistor d'IRF3205PBF par le trou TO-220AB

 

Statut de partie Actif  
Type de FET N-canal  
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)  
Vidangez à la tension de source (Vdss) 55V  
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 110A (comité technique)  
Conduisez la tension (le RDS maximum dessus, la minute le RDS dessus) 10V  
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 4V @ 250µA  
Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs 146nC @ 10V  
Vgs (maximum) ±20V  
Capacité (Ciss) (maximum) @ Vds d'entrée 3247pF @ 25V  
Caractéristique de FET -  
Dissipation de puissance (maximum) 200W (comité technique)  
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 8 mOhm @ 62A, 10V  
Température de fonctionnement -55°C | 175°C (TJ)  
Type de support Par le trou  
Paquet de dispositif de fournisseur TO-220AB  
Paquet/cas TO-220-3

 

 

Description

Les transistors MOSFET avancés de puissance de HEXFET® du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de commutation rapide et la conception robuste de dispositif que les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus pour, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.

 

Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie.

 

  Paramètre Maximum. Unités
ID @ TC = 25°C Courant continu de drain, VGS @ 10V º 110

 

A

ID @ TC = 100°C Courant continu de drain, VGS @ 10V 80
IDM º pulsé de courant de drain 390
@Tde PDC = 25°C Dissipation de puissance 200 W
  Facteur de sous-sollicitation linéaire 1,3 W/°C
VGS Tension de Porte-à-source ± 20 V
IAR Avalanche Currentº 62 A
OREILLE Avalanche répétitive Energyº 20 MJ
dv/dt © maximal de la récupération dv/dt de diode 5,0 V/ns

TJ

TSTG

Jonction fonctionnante et

Température ambiante de température de stockage

-55 + à 175

 

°C

  La température de soudure, pendant 10 secondes 300 (1.6mm du cas)
  Couple, 6-32 ou srew M3 de support 10 livres-force•dedans (1.1N•m)  

 

 

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

Téléphone: +8613760106370

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