Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

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Type de transistor du collecteur de courant de la puce 100mA d'IC de transistor de BC547B NPN

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Type de transistor du collecteur de courant de la puce 100mA d'IC de transistor de BC547B NPN

Chine Type de transistor du collecteur de courant de la puce 100mA d'IC de transistor de BC547B NPN fournisseur

Image Grand :  Type de transistor du collecteur de courant de la puce 100mA d'IC de transistor de BC547B NPN

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: RoHS
Numéro de modèle: BC547B

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
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Description de produit détaillée
Statut de partie: Active Type de transistor: NPN
Actuel - collecteur (IC) (maximum): 100mA Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 45V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 300mV @ 5mA, 100mA Actuel - coupure de collecteur (maximum): -
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 200 @ 2mA, 5V Puissance - maximum: 625Mw

 

Transistor bipolaire NPN 45V 100mA 300MHz 625mW de puce d'IC de transistor de BC547B (BJT) par le trou TO-92

 

Statut de partie Actif  
Type de transistor NPN  
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 100mA  
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 45V  
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC 300mV @ 5mA, 100mA  
Actuel - coupure de collecteur (maximum) -  
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce 200 @ 2mA, 5V  
Puissance - maximum 625mW  
Fréquence - transition 300MHz  
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)  
Type de support Par le trou  
Paquet/cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (avances formées)  
Paquet de dispositif de fournisseur TO-92

 

 

 

Évaluation

 

Symbole

AVANT JÉSUS CHRIST 546 AVANT JÉSUS CHRIST 547 AVANT JÉSUS CHRIST 548

 

Unité

Tension de collecteur-émetteur VCEO 65 45 30 Volts continu
Tension de collecteur-base VCBO 80 50 30 Volts continu
Tension basse d'émetteur VEBO 6,0 Volts continu
Courant de collecteur — continu IC 100 mAdc
La dissipation totale de dispositif @ MERCI = 25°C sous-sollicitent au-dessus de 25°C Palladium

625

5,0

mW mW/°C
La dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C sous-sollicitent au-dessus de 25°C Palladium

1,5

12

Watt mW/°C
Opération et température ambiante de jonction de stockage TJ, Tstg – 55 à +150 °C

 

Caractéristique Symbole Maximum Unité
Résistance thermique, jonction à ambiant R JA 200 ° C/W
Résistance thermique, jonction au cas R JC 83,3 ° C/W

 

 

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

Téléphone: +8613760106370

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