Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

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Par la puce AOT470 d'IC de transistor de trou 5640pF a entré le poids léger de capacité

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Par la puce AOT470 d'IC de transistor de trou 5640pF a entré le poids léger de capacité

Chine Par la puce AOT470 d'IC de transistor de trou 5640pF a entré le poids léger de capacité fournisseur

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Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: RoHS
Numéro de modèle: AOT470

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
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Description de produit détaillée
Statut de partie: Active Type de FET: N-Canal
Technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal) Vidangez à la tension de source (Vdss): 75V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: 10A (merci), 100A (comité technique) Conduisez la tension (le RDS maximum dessus, la minute le RDS dessus): 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: 4V @ 250µA Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs: 136nC @ 10V

 

N-canal 75V 10A (merci), 100A (comité technique) 2.1W (merci), 268W (comité technique) de puce d'IC du transistor AOT470 par le trou TO-220

 

Statut de partie Actif  
Type de FET N-canal  
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)  
Vidangez à la tension de source (Vdss) 75V  
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 10A (merci), 100A (comité technique)  
Conduisez la tension (le RDS maximum dessus, la minute le RDS dessus) 10V  
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 4V @ 250µA  
Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs 136nC @ 10V  
Vgs (maximum) ±25V  
Capacité (Ciss) (maximum) @ Vds d'entrée 5640pF @ 30V  
Caractéristique de FET -  
Dissipation de puissance (maximum) 2.1W (merci), 268W (comité technique)  
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs mOhm 10,5 @ 30A, 10V  
Température de fonctionnement -55°C | 175°C (TJ)  
Type de support Par le trou  
Paquet de dispositif de fournisseur TO-220  
Paquet/cas TO-220-3

 

Symbole Paramètre Conditions Minute Type Maximum Unités
PARAMÈTRES STATIQUES
BVDSS Tension claque de Drain-source ID =250MA, VGS =0V 75     V
IDSS Courant zéro de drain de tension de porte VDS =75V, VGS =0V     1 mA
      TJ =55°C     5  
IGSS Courant de fuite de Porte-corps VDS =0V, VGS = ±25V     1 mA
VGS (Th) Tension de seuil de porte V =VGS, ID =250MA DEDS 2 2,7 4 V
IDENTIFICATION (DESSUS) Sur le courant de drain d'état VGS =10V, VDS =5V 200     A

 

LE RDS (DESSUS)

 

Sur-résistance statique de Drain-source

VGS =10V, ID =30A   8,3 10,5 mW
    TO220 TJ =125°C   13,7 17  
   

VGS =10V, ID =30A

TO263

 

 

8

 

10,2

 

mW

gFS Transconductance en avant VDS =5V, ID =30A   90   S
VSD Tension en avant de diode IS =1A, VGS =0V   0,7 1 V
IS Courant continuG de Corps-diode maximum     100 A
PARAMÈTRES DYNAMIQUES
Ciss Capacité d'entrée

 

VGS =0V, VDS =30V, f=1MHz

3760 4700 5640 PF
Coss Capacité de sortie   280 400 520 PF
Crss Capacité inverse de transfert   110 180 250 PF
Rg Résistance de porte VGS =0V, VDS =0V, f=1MHz 1,5 3 4,5 W
PARAMÈTRES DE COMMUTATION
Qg (10V) Charge totale de porte

 

VGS =10V, VDS =30V, ID =30A

  114 136 OR
Qgs Charge de source de porte     33 40 OR
Qgd Charge de drain de porte     18 25 OR
le TD (dessus) DelayTime d'ouverture

 

VGS =10V, VDS =30V, RL =1W, GEN =3W DE R

  21   NS
tr Temps de montée d'ouverture     39   NS
le TD () DelayTime d'arrêt     70   NS
tf Temps d'arrêt d'automne     24   NS
trr Temps de rétablissement d'inverse de diode de corps IF =30A, dI/dt=100A/ms 37 53 70 NS
Qrr Charge de récupération d'inverse de diode de corps IF =30A, dI/dt=100A/ms 100 143 185 OR

 

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

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