Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

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Tension de saturation de transition de fréquence de la puce 100MHz d'IC du transistor 2SB772 basse

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Tension de saturation de transition de fréquence de la puce 100MHz d'IC du transistor 2SB772 basse

Chine Tension de saturation de transition de fréquence de la puce 100MHz d'IC du transistor 2SB772 basse fournisseur

Image Grand :  Tension de saturation de transition de fréquence de la puce 100MHz d'IC du transistor 2SB772 basse

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: Rosh
Numéro de modèle: 2SB772

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
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Description de produit détaillée
Statut de partie: Obsolète Type de transistor: PNP
Actuel - collecteur (IC) (maximum): 3A Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 30V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 1.1V @ 150mA, 3A Actuel - coupure de collecteur (maximum): 100µA
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 100 @ 100mA, 2V Puissance - maximum: 12.5W

 
Transistor bipolaire PNP 30V 3A 100MHz 12.5W de puce d'IC du transistor 2SB772 (BJT) par le trou SOT-32-3
 

Statut de partie Obsolète  
Type de transistor PNP  
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 3A  
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 30V  
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC 1.1V @ 150mA, 3A  
Actuel - coupure de collecteur (maximum) 100µA  
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce 100 @ 100mA, 2V  
Puissance - maximum 12.5W  
Fréquence - transition 100MHz  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de support Par le trou  
Paquet/cas TO-225AA, TO-126-3  
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-32-3

 

TRANSISTOR DE BASSE TENSION DE PUISSANCE D'IUM
 

DESCRIPTION

L'UTC 2SB772 est un transistor de basse tension de puissance moyenne, conçu pour l'amplificateur de puissance audio, le convertisseur de DC-DC et le régulateur de tension.
 

CARACTÉRISTIQUES

* sortie à forte intensité jusqu'à 3A

tension de saturation de *Low

*Complement à 2SD882

 

PARAMÈTRE SYMBOLE VALEUR UNITÉ
Tension de collecteur-base VCBO -40 V
Tension de collecteur-émetteur VCEO -30 V
Tension d'Émetteur-base VEBO -5 V
Dissipation de collecteur (Tc=25°C) PC 10 W
Dissipation de collecteur (Ta=25°C) PC 1 W
Courant de collecteur (C.C) IC -3 A
Courant de collecteur (IMPULSION) IC -7 A
Courant bas IB -0,6 A
La température de jonction Tj 150 °C
Température de stockage TSTG -55 | +150 °C

 
 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25°C, sauf indication contraire)

PARAMÈTRE SYMBOLE CONDITIONS D'ESSAI MINUTE TYPE Max UNITÉ
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=-30V, IE=0     -1000 Na
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=-3V, Ic=0     -1000 Na
Gain actuel de C.C (note 1) hFE1 hFE2 VCE=-2V, Ic=-20mA VCE=-2V, Ic=-1A

30

100

200

150

 

400

 
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) Ic=-2A, IB=-0.2A   -0,3 -0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) Ic=-2A, IB=-0.2A   -1,0 -2,0 V
Produit de largeur de bande de gain actuel pi VCE=-5V, Ic=-0.1A   80   Mégahertz
Capacité de sortie Épi VCB=-10V, IE=0, f=1MHz   45   PF

 

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

Téléphone: +8613760106370

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