Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

Bon pour citer pour la liste de BOM comprenant IC, diode, transistor, condensateur, résistance et ainsi de suite !

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courant de la puce 2N5551 50nA d'IC de transistor de 600mA 100MHz - coupure de collecteur

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courant de la puce 2N5551 50nA d'IC de transistor de 600mA 100MHz - coupure de collecteur

Chine courant de la puce 2N5551 50nA d'IC de transistor de 600mA 100MHz - coupure de collecteur fournisseur

Image Grand :  courant de la puce 2N5551 50nA d'IC de transistor de 600mA 100MHz - coupure de collecteur

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: Rosh
Numéro de modèle: 2N5551

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
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Description de produit détaillée
Statut de partie: Active Type de transistor: NPN
Actuel - collecteur (IC) (maximum): 600mA Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 160V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 200mV @ 5mA, 50mA Actuel - coupure de collecteur (maximum): 50nA (ICBO)
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 80 @ 10mA, 5V Puissance - maximum: 625Mw

 

transistor bipolaire NPN 160V 600mA 100MHz 625mW de puce d'IC du transistor 2N5551 (BJT) par le trou TO-92-3

 

Statut de partie Actif  
Type de transistor NPN  
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 600mA  
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 160V  
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC 200mV @ 5mA, 50mA  
Actuel - coupure de collecteur (maximum) 50nA (ICBO)  
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce 80 @ 10mA, 5V  
Puissance - maximum 625mW  
Fréquence - transition 100MHz  
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)  
Type de support Par le trou  
Paquet/cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (avances formées)  
Paquet de dispositif de fournisseur TO-92-3  
Numéro de la pièce bas 2N5551

 

Évaluation Symbole 2N5550 2N5551 Unité
Tension d'émetteur de − de collecteur VCEO 140 160 Volts continu
Tension basse de − de collecteur VCBO 160 180 Volts continu
Tension basse de − d'émetteur VEBO 6,0 Volts continu
− de courant de collecteur continu IC 600 mAdc

Dissipation totale de dispositif @ MERCI = 25°C

Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

Palladium

 

625

5,0

 

mW mW/°C

Dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C

Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

Palladium

 

1,5

12

 

W

mW/°C

Opération et température ambiante de jonction de stockage TJ, Tstg −55 à +150 °C

 

Les estimations maximum sont ces valeurs au delà dont les dommages de dispositif peuvent se produire. Les estimations maximum appliquées au dispositif sont différentes valeurs limites d'effort (fonctionnement non normal) et sont invalides simultanément. Si ces limites sont dépassées, l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée, les dommages peuvent se produire et la fiabilité peut être affectée.

CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES

 

Caractéristique Symbole Maximum Unité
Résistance thermique, Junction−to−Ambient R0JA 200 ° C/W
Résistance thermique, Junction−to−Case R0JC 83,3 ° C/W

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (MERCI = 25°C sauf indication contraire)

Caractéristique Symbole Minute Maximum Unité

OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES

 

Tension claque de Collector−Emitter (note 1)

(IC = 1,0 mAdc, IB = 0) 2N5550

2N5551

PRÉSIDENT V (DE BR)

 

140

160

 

Volts continu

Tension claque de Collector−Base

(IC = 100 µAdc, IE = 0) 2N5550

2N5551

V (BR) CBO

 

160

180

 

Volts continu
Tension claque d'Emitter−Base (IE = 10 µAdc, IC = 0) V (BR) EBO 6,0 Volts continu

Courant de coupure de collecteur

(VCB = 100 volts continu, IE = 0) 2N5550

(VCB = 120 volts continu, IE = 0) 2N5551

(VCB = 100 volts continu, IE = 0, MERCI = 100°C) 2N5550

(VCB = 120 volts continu, IE = 0, MERCI = 100°C) 2N5551

ICBO

 

 

100

50

100

50

 

NADC

 

µAdc

Courant de coupure d'émetteur (VEB = 4,0 volts continu, IC = 0) IEBO 50 NADC

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

Téléphone: +8613760106370

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