Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

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Panne 2N5401 de collecteur-émetteur de tension de la puce 150V d'IC de transistor de PNP

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Panne 2N5401 de collecteur-émetteur de tension de la puce 150V d'IC de transistor de PNP

Chine Panne 2N5401 de collecteur-émetteur de tension de la puce 150V d'IC de transistor de PNP fournisseur

Image Grand :  Panne 2N5401 de collecteur-émetteur de tension de la puce 150V d'IC de transistor de PNP

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: RoHS
Numéro de modèle: 2N5401

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
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Description de produit détaillée
Statut de partie: Obsolète Type de transistor: PNP
Actuel - collecteur (IC) (maximum): 600mA Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 150V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 500mV @ 5mA, 50mA Actuel - coupure de collecteur (maximum): 50nA (ICBO)
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 60 @ 10mA, 5V Puissance - maximum: 625Mw

 
transistor bipolaire PNP 150V 600mA 300MHz 625mW de puce d'IC du transistor 2N5401 (BJT) par le trou TO-92-3
 

Statut de partie Obsolète  
Type de transistor PNP  
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 600mA  
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 150V  
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC 500mV @ 5mA, 50mA  
Actuel - coupure de collecteur (maximum) 50nA (ICBO)  
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce 60 @ 10mA, 5V  
Puissance - maximum 625mW  
Fréquence - transition 300MHz  
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)  
Type de support Par le trou  
Paquet/cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Paquet de dispositif de fournisseur TO-92-3  
Numéro de la pièce bas 2N5401

 

ESTIMATIONS MAXIMUM

 

Évaluation Symbole 2N5400 2N5401 Unité
Tension de collecteur-émetteur VCEO 120 150 Volts continu
Tension de collecteur-base VCBO 130 160 Volts continu
Tension basse d'émetteur VEBO 5,0 Volts continu
Courant de collecteur — continu IC 600 mAdc
La dissipation totale de dispositif @ MERCI = 25°C sous-sollicitent au-dessus de 25°C Palladium

625

5,0

mW mW/°C
La dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C sous-sollicitent au-dessus de 25°C Palladium

1,5

12

Watts de mW/°C
Opération et température ambiante de jonction de stockage TJ, Tstg – 55 à +150 °C

CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES
 

Caractéristique Symbole Maximum Unité
Résistance thermique, jonction à ambiant R JA 200 ° C/W
Résistance thermique, jonction au cas R JC 83,3 ° C/W

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (MERCI = 25°C sauf indication contraire)

Caractéristique Symbole Minute Maximum Unité

OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES

 

Tension claque de collecteur-émetteur (1)

(IC = 1,0 mAdc, IB = 0) 2N5400

2N5401

PRÉSIDENT V (DE BR)

 

120

150

 

Volts continu

Tension claque de collecteur-base

(IC = 100 CDA, IE = 0) 2N5400

2N5401

V (BR) CBO

 

130

160

 

Volts continu
Tension claque basse d'émetteur (IE = 10 CDA, IC = 0) V (BR) EBO 5,0 Volts continu

Courant de coupure de collecteur

(VCB = 100 volts continu, IE = 0) 2N5400

(VCB = 120 volts continu, IE = 0) 2N5401

(VCB = 100 volts continu, IE = 0, MERCI = 100°C) 2N5400

(VCB = 120 volts continu, IE = 0, MERCI = 100°C) 2N5401

ICBO

 



 

100

50

100

50

 

NADC
 

mAdc

Courant de coupure d'émetteur (VEB = 3,0 volts continu, IC = 0) IEBO 50 NADC

1. Essai d'impulsion : Durée d'impulsion = 300 s, coefficient d'utilisation = 2,0%.

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

Téléphone: +8613760106370

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