Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

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Panneau de circuit intégré de transistor, transition 2N4401 de fréquence de la puce 250MHz de circuit intégré

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Panneau de circuit intégré de transistor, transition 2N4401 de fréquence de la puce 250MHz de circuit intégré

Chine Panneau de circuit intégré de transistor, transition 2N4401 de fréquence de la puce 250MHz de circuit intégré fournisseur

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Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: RoHS
Numéro de modèle: 2N4401

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
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Description de produit détaillée
Statut de partie: Active Type de transistor: NPN
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 40V Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 750mV @ 50mA, 500mA
Actuel - coupure de collecteur (maximum): - Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Puissance - maximum: 600mW Fréquence - transition: 250MHz

 

transistor bipolaire NPN 40V 250MHz 600mW de puce d'IC du transistor 2N4401 (BJT) par le trou TO-92

 

Statut de partie Actif  
Type de transistor NPN  
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 40V  
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC 750mV @ 50mA, 500mA  
Actuel - coupure de collecteur (maximum) -  
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce 100 @ 150mA, 1V  
Puissance - maximum 600mW  
Fréquence - transition 250MHz  
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)  
Type de support Par le trou  
Paquet/cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (avances formées)  
Paquet de dispositif de fournisseur TO-92  
Numéro de la pièce bas 2N4401

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM

 

Évaluation Symbole Valeur Unité
Tension de collecteur-émetteur VCEO 40 Volts continu
Tension de collecteur-base VCBO 60 Volts continu
Tension basse d'émetteur VEBO 6,0 Volts continu
Courant de collecteur — continu IC 600 mAdc
La dissipation totale de dispositif @ MERCI = 25°C sous-sollicitent au-dessus de 25°C Palladium

625

5,0

mW mW/°C
La dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C sous-sollicitent au-dessus de 25°C Palladium

1,5

12

Watts de mW/°C
Opération et température ambiante de jonction de stockage TJ, Tstg – 55 à +150 °C

CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES

 

Caractéristique Symbole Maximum Unité
Résistance thermique, jonction à ambiant R JA 200 ° C/W
Résistance thermique, jonction au cas R JC 83,3 ° C/W

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (MERCI = 25°C sauf indication contraire)

Caractéristique Symbole Minute Maximum Unité

OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES

 

Tension claque de collecteur-émetteur (1) (IC = 1,0 mAdc, IB = 0) PRÉSIDENT V (DE BR) 40 Volts continu
Tension claque de collecteur-base (IC = 0,1 mAdc, IE = 0) V (BR) CBO 60 Volts continu
Tension claque basse d'émetteur (IE = 0,1 mAdc, IC = 0) V (BR) EBO 6,0 Volts continu

Courant bas de coupure

(VCE = 35 volts continu, VEB = 0,4 volts continu)

IBEV 0,1 mAdc

Courant de coupure de collecteur

(VCE = 35 volts continu, VEB = 0,4 volts continu)

ICEX 0,1 mAdc

1. Essai d'impulsion : £ 300 s, £ 2,0% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (MERCI = 25°C sauf indication contraire) (suite)

Caractéristique Symbole Minute Maximum Unité

SUR LES CARACTÉRISTIQUES (1)

 

Gain actuel de C.C

(IC = 0,1 mAdc, VCE = 1,0 volts continu) 2N4401

hFE

 

20

 

20

40

 

40

80

 

50

100

 

20

40

 

 

 

 

150

300

 

(IC = 1,0 mAdc, VCE = 1,0 volts continu) 2N4400    
2N4401    
(IC = 10 mAdc, VCE = 1,0 volts continu) 2N4400    
2N4401    
(IC = 150 mAdc, VCE = 1,0 volts continu) 2N4400    
2N4401    
(IC = 500 mAdc, VCE = 2,0 volts continu) 2N4400    
2N4401    

Tension de saturation de collecteur-émetteur (IC = 150 mAdc, IB = mAdc 15)

(IC = 500 mAdc, IB = mAdc 50)

VCE (reposé)

0,4

0,75

Volts continu

Tension de saturation d'émetteur de base (IC = 150 mAdc, IB = mAdc 15)

(IC = 500 mAdc, IB = mAdc 50)

VBE (reposé)

0,75

0,95

1,2

Volts continu

CARACTÉRISTIQUES DE SIGNAL DE PETITE TAILLE

 

Gain actuel — produit de largeur de bande   pi     Mégahertz
(IC = 20 mAdc, VCE = 10 volts continu, f = 100 mégahertz)

2N4400

2N4401

200  
  250  
Capacité de collecteur-base (VCB = 5,0 volts continu, IE = 0, f = 1,0 mégahertz) Ccb 6,5 PF
Capacité d'Émetteur-base (VEB = 0,5 volts continu, IC = 0, f = 1,0 mégahertz) Ceb 30 PF

Impédance d'entrée

(IC = 1,0 mAdc, VCE = 10 volts continu, f = 1,0 kilohertz)

 

2N4400

2N4401

hie

 

0,5

1,0

 

7,5

15

ohms de k
Rapport de retour de tension (IC = 1,0 mAdc, VCE = 10 volts continu, f = 1,0 kilohertz) hre 0,1 8,0 X 10-4
Gain actuel de De petite taille-signal   hfe    
(IC = 1,0 mAdc, VCE = 10 volts continu, f = 1,0 kilohertz)

2N4400

2N4401

20 250  
  40 500  
Accès de sortie (IC = 1,0 mAdc, VCE = 10 volts continu, f = 1,0 kilohertz) houe 1,0 30 mmhos

CARACTÉRISTIQUES DE COMMUTATION

 

Temps de retard (VCC = 30 volts continu, VBE = 2,0 volts continu, IC = mAdc 150, IB1 = mAdc 15) le TD 15 NS
Temps de montée TR 20 NS
Temps d'entreposage (VCC = 30 volts continu, IC = mAdc 150, IB1 = IB2 = mAdc 15) solides totaux 225 NS
Temps de chute tf 30 NS

1. Essai d'impulsion : £ 300 s, £ 2,0% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.

 

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

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