Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

Bon pour citer pour la liste de BOM comprenant IC, diode, transistor, condensateur, résistance et ainsi de suite !

Accueil
Produits
A propos de nous
Visite d'usine
Contrôle de la qualité
contacto
Demande de soumission
Accueil ProduitsPuce d'IC de transistor

Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Je suis en ligne une discussion en ligne

type maximum collecteur de transistor de la puce PNP d'IC de transistor de la puissance 625mW de courant de 2N3906 200mA

Chine type maximum collecteur de transistor de la puce PNP d'IC de transistor de la puissance 625mW de courant de 2N3906 200mA fournisseur

Image Grand :  type maximum collecteur de transistor de la puce PNP d'IC de transistor de la puissance 625mW de courant de 2N3906 200mA

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: RoHS
Numéro de modèle: 2N3906

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
Contact Now
Description de produit détaillée
Statut de partie: Active Type de transistor: PNP
Actuel - collecteur (IC) (maximum): 200mA Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 40V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 400mV @ 5mA, 50mA Actuel - coupure de collecteur (maximum): -
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 100 @ 10mA, 1V Puissance - maximum: 625Mw

 
transistor bipolaire PNP 40V 200mA 250MHz 625mW de puce d'IC du transistor 2N3906 (BJT) par le trou TO-92-3
 

Statut de partie Actif  
Type de transistor PNP  
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 200mA  
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 40V  
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC 400mV @ 5mA, 50mA  
Actuel - coupure de collecteur (maximum) -  
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce 100 @ 10mA, 1V  
Puissance - maximum 625mW  
Fréquence - transition 250MHz  
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)  
Type de support Par le trou  
Paquet/cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Paquet de dispositif de fournisseur TO-92-3  
Numéro de la pièce bas 2N3906

 

ESTIMATIONS MAXIMUM
 

Évaluation Symbole Valeur Unité
Tension de collecteur-émetteur VCEO 40 Volts continu
Tension de collecteur-base VCBO 40 Volts continu
Tension basse d'émetteur VEBO 5,0 Volts continu
Courant de collecteur — continu IC 200 mAdc
La dissipation totale de dispositif @ MERCI = 25°C sous-sollicitent au-dessus de 25°C Palladium

625

5,0

mW mW/°C
Dissipation de puissance totale @ MERCI = 60°C Palladium 250 mW
La dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C sous-sollicitent au-dessus de 25°C Palladium

1,5

12

Watts de mW/°C
Opération et température ambiante de jonction de stockage TJ, Tstg – 55 à +150 °C

CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES (1)
 

Caractéristique Symbole Maximum Unité
Résistance thermique, jonction à ambiant R JA 200 ° C/W
Résistance thermique, jonction au cas R JC 83,3 ° C/W

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (MERCI = 25°C sauf indication contraire)

Caractéristique Symbole Minute Maximum Unité

OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES

 

Tension claque de collecteur-émetteur (2) (IC = 1,0 mAdc, IB = 0) PRÉSIDENT V (DE BR) 40 Volts continu
Tension claque de collecteur-base (IC = 10 CDA, IE = 0) V (BR) CBO 40 Volts continu
Tension claque basse d'émetteur (IE = 10 CDA, IC = 0) V (BR) EBO 5,0 Volts continu

Courant bas de coupure

(VCE = 30 volts continu, VEB = 3,0 volts continu)

IBL 50 NADC

Courant de coupure de collecteur

(VCE = 30 volts continu, VEB = 3,0 volts continu)

ICEX 50 NADC

1. Indique des données en plus des conditions de JEDEC.

2. Essai d'impulsion : Durée d'impulsion 300 s ; Coefficient d'utilisation 2,0%.

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

Téléphone: +8613760106370

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)