Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

Bon pour citer pour la liste de BOM comprenant IC, diode, transistor, condensateur, résistance et ainsi de suite !

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circuits intégrés de base du transistor 2N3904, puissance programmable de la puce 625mW d'IC

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circuits intégrés de base du transistor 2N3904, puissance programmable de la puce 625mW d'IC

Chine circuits intégrés de base du transistor 2N3904, puissance programmable de la puce 625mW d'IC fournisseur

Image Grand :  circuits intégrés de base du transistor 2N3904, puissance programmable de la puce 625mW d'IC

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: RoHS
Numéro de modèle: 2N3904

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
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Description de produit détaillée
Statut de partie: Active Type de transistor: NPN
Actuel - collecteur (IC) (maximum): 200mA Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 40V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 300mV @ 5mA, 50mA Actuel - coupure de collecteur (maximum): -
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 100 @ 10mA, 1V Puissance - maximum: 625Mw

 

transistor bipolaire NPN 40V 200mA 300MHz 625mW de puce d'IC du transistor 2N3904 (BJT) par le trou TO-92-3

 

Statut de partie Actif  
Type de transistor NPN  
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 200mA  
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 40V  
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC 300mV @ 5mA, 50mA  
Actuel - coupure de collecteur (maximum) -  
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce 100 @ 10mA, 1V  
Puissance - maximum 625mW  
Fréquence - transition 300MHz  
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)  
Type de support Par le trou  
Paquet/cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Paquet de dispositif de fournisseur TO-92-3  
Numéro de la pièce bas 2N3904

 

· Finition sans plomb/RoHS conforme (le suffixe de « P » indique RoHS conforme. Voir l'information de commande)

ñ capable de 625mW de la puissance Disspation et 200mA IC

l'époxyde de ñ rencontre l'estimation de l'inflammabilité V-0 de l'UL 94

niveau 1 de sensibilité de Moisure de ñ

ñ par le paquet de trou

disponibles libres d'halogène de ñ sur demande en ajoutant à haute fréquence de suffixe le « - »

 

PRÉSIDENT V(DEBR)

Panne Voltage* de collecteur-émetteur

(IC =1.0MADC, IB =0)

40   Volts continu
V(BR)CBO

Tension claque de collecteur-base

(IC =10MADC, C.-À-D. =0)

60   Volts continu
V(BR)EBO

Tension claque d'Émetteur-base

(C.-À-D. =10MADC, IC =0)

6,0   Volts continu
IBL

Courant bas de coupure

(LECE =30VDC, V DE VSOIT =3.0VDC)

  50 NADC
ICEX

Courant de coupure de collecteur

(LECE =30VDC, V DE VSOIT =3.0VDC)

  50 NADC

 

SUR DES CARACTÉRISTIQUES

Fede h

C.C Gain* actuel (IC =0.1mAdc, CE =1.0Vdc) (IC =1.0mAdc de V, CE =1.0Vdc) (IC =10mAdc de V, CE =1.0Vdc de V)

CE =1.0VDC) (IC =100MADC (D'IC =50MADC, DE V, CE =1.0VDC DE V)

 

40

70

100

60

30

 

 

300

 
VCE(reposé)

Tension de saturation de collecteur-émetteur

(IC =10MADC, IB =1.0MADC) (IC =50MADC, IB =5.0MADC)

 

 

0,2

0,4

 

Volts continu

VSOYEZ(reposé)

Tension de saturation d'émetteur de base

(IC =10MADC, IB =1.0MADC) (IC =50MADC, IB =5.0MADC)

 

0,65

 

0,85

0,95

 

Volts continu

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

Téléphone: +8613760106370

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