Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

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Redresseur de diode de MBR 130W Schottky Guardring pour la protection 30V 1A d'effort

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Redresseur de diode de MBR 130W Schottky Guardring pour la protection 30V 1A d'effort

Chine Redresseur de diode de MBR 130W Schottky Guardring pour la protection 30V 1A d'effort fournisseur

Image Grand :  Redresseur de diode de MBR 130W Schottky Guardring pour la protection 30V 1A d'effort

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: Rosh
Numéro de modèle: MBR130W

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negosiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
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Description de produit détaillée
Type Schottky de diode: Schottky Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum): 30V
Actuel - moyenne rectifiée (E/S): 1A Tension - (Vf) en avant (maximum) @ si: 450mV @ 700mA
Vitesse: =< rapide 500ns de récupération, > 200mA (E/S) Actuel - fuite inverse @ Vr: 60µA @ 30V
Capacité @ Vr, F: - Type de support: Surface Mount

 

 

Bâti SOD-123 de surface de Schottky 30V 1A de diode de redresseur de diode de MBR130W Schottky

 

Type de diode Schottky  
Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum) 30V  
Actuel - moyenne rectifiée (E/S) 1A  
Tension - (Vf) en avant (maximum) @ si 450mV @ 700mA  
Vitesse Récupération rapide =< 500ns=""> 200mA (E/S)  
Actuel - fuite inverse @ Vr 60µA @ 30V  
Capacité @ Vr, F -  
Type de support Bâti extérieur  
Paquet/cas SOD-123  
Paquet de dispositif de fournisseur SOD-123  
Température de fonctionnement - jonction -65°C | 125°C  
Numéro de la pièce bas

MBR130

 

 

Redresseur de diode de MBR 130W Schottky Guardring pour la protection 30V 1A d'effortRedresseur de diode de MBR 130W Schottky Guardring pour la protection 30V 1A d'effortRedresseur de diode de MBR 130W Schottky Guardring pour la protection 30V 1A d'effort

Ce dispositif emploie le principe de barrière de Schottky avec une diode de puissance de metal−to−silicon de vaste zone. Dans le meilleur des cas adapté à la basse tension, rectification à haute fréquence ou en tant que librement roulant et diodes de protection de polarité dans les applications extérieures de bâti où la dimension compacte et le poids sont critiques au système. Ce paquet fournit également un facile à travailler avec l'alternative au style sans plomb de 34 paquets. Caractéristiques • Guardring pour la protection d'effort • Basse tension en avant • la température de jonction 125°C fonctionnante • L'époxyde rencontre l'UL 94 V−0 @ 0,125 po • Paquet conçu pour l'Assemblée automatisée optimale de conseil • Estimation d'ESD : Modèle de corps humain de ♦ de = modèle de machine 3 ♦ = C • Préfixe de NRVB pour applications des véhicules à moteur et autres exigeant des conditions uniques de rupture de site et de contrôle ; AEC-Q101 qualifié et PPAP capable • Ce sont des caractéristiques mécaniques de Pb−Free Packages* • Repérage de dispositif : S3 • Indicateur de polarité : Bande de cathode • Poids : mg 11,7 (approximativement) • Cas : Époxyde, moulé • Finition : Toutes les surfaces externes anticorrosion et avances terminales sont aisément Solderable • La température d'avance et de surface de montage pour le soudure : maximum 260°C pendant 10 secondes

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

Téléphone: +8613760106370

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