Technologie de l'électronique de Shenzhen Goldensun limitée

 

Bon pour citer pour la liste de BOM comprenant IC, diode, transistor, condensateur, résistance et ainsi de suite !

Accueil
Produits
A propos de nous
Visite d'usine
Contrôle de la qualité
contacto
Demande de soumission
Accueil ProduitsPuce d'IC de mémoire

Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Je suis en ligne une discussion en ligne

Bits de la puce 16 d'IC de mémoire de DDR3L SDRAM 8 banques internes MT41K64M16TW-107 : J

Chine Bits de la puce 16 d'IC de mémoire de DDR3L SDRAM 8 banques internes MT41K64M16TW-107 : J fournisseur

Image Grand :  Bits de la puce 16 d'IC de mémoire de DDR3L SDRAM 8 banques internes MT41K64M16TW-107 : J

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originale
Nom de marque: Original Manufacturer
Certification: RoHS
Numéro de modèle: MT41K64M16TW-107 : J

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: Negotiation
Détails d'emballage: emballage d'origine
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: TTT, Paypal, Western Union et ainsi de suite
Capacité d'approvisionnement: 80000
Contact Now
Description de produit détaillée
Type de DRACHME: DDR3L SDRAM La densité de puce (mordue): 1G
Organisation: 64Mx16 Nombre de banques internes: 8
Nombre de peu/Word (mordu): 16 Fréquence de base maximum (mégahertz): 933

MT41K64M16TW-107 : Puce de DRACHME de J DDR3L SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V 96-Pin FBGA

 

DDR3 SDRAM emploie une double architecture de débit pour réaliser l'opération ultra-rapide. La double architecture de débit est une architecture 8n-prefetch avec une interface conçue pour transférer deux mots contenant des données par rhythme aux goupilles d'entrée-sortie. Lue simple ou écrivent l'opération pour le DDR3 SDRAM se compose effectivement d'un 8n-bit-wide simple, du transfert des données de cycle de quatre-horloge au noyau interne de DRACHME et de huit correspondant de la taille de la n, des transferts des données d'un - à moitié - horloge-cycle aux goupilles d'entrée-sortie. Le stroboscope différentiel de données (DQS, DQS#) est transmis extérieurement, avec des données, pour l'usage dans la saisie de données au récepteur d'entrée de DDR3 SDRAM. DQS centre-est aligné avec des données pour WRITEs. Les données lues sont transmises par le DDR3 SDRAM et bord-alignées sur les stroboscopes de données. Le DDR3 SDRAM fonctionne à partir d'une horloge différentielle (les CK et le CK#). Le croisement passant à 1 des CK et de CK# passant à 0 désigné sous le nom du bord positif des CK. Le contrôle, le commandement, et les signaux d'adresse sont enregistrés à chaque bord positif des CK. Des données d'entrée sont enregistrées sur le premier bord de montée de DQS après que le préambule d'INSCRIPTION, et des données de production soit mis en référence sur le premier bord de montée de DQS après le préambule LU. Lisez et les accès en écriture au DDR3 SDRAM sont orientés éclat. Les accès commencent à un emplacement choisi et continuent pour un nombre programmé d'emplacements dans un ordre programmé. Les accès commencent par l'enregistrement d'une commande de DÉCLENCHEMENT, qui est alors suivie d'une LIRE ou la touche d'écriture. Le peu d'adresse a enregistré coïncident avec la commande de DÉCLENCHEMENT est employé pour choisir la banque et la rangée à accéder. Le peu d'adresse a enregistré coïncident avec LUE ou des touches d'écriture est employé pour choisir la banque et l'emplacement commençant de colonne pour l'accès d'éclat. Le dispositif emploie INDIQUÉ et ÉCRIT BL8 et BC4. Une fonction automatique de pré-charge peut être permise de fournir une pré-charge auto-synchronisée de rangée qui est lancée à la fin de l'accès d'éclat. Comme avec la RDA standard SDRAM, canalisée, architecture de multibank de DDR3 SDRAM tient compte du fonctionnement concurrent, fournissant de ce fait la largeur de bande élevée par pré-charge de rangée et temps de dissimulation d'activation. Un individu régénèrent le mode est fourni, avec une puissance-économie, mode de puissance-vers le bas.

Fonctionnalités clé

  • VDD = VDDQ = +1.35V (1.283V à 1.45V)
  • Vers l'arrière - compatible à VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
  • Stroboscope bidirectionnel différentiel de données
  • architecture du prefetch 8n-bit
  • Entrées d'horloge différentielle (CK, CK#)
  • 8 banques internes
  • Arrêt nominal et dynamique (ODT) de sur-matrice pour les données, le stroboscope, et les signaux de masque
  • Latence programmable de CAS (LU) (CL)
  • Latence additive programmable (AL) de CAS
  • Latence programmable (CWL) de CAS (ÉCRIVEZ)
  • Longueur fixe (BL) d'éclat de 8 et côtelette (BC) d'éclat de 4 (par l'intermédiaire de l'ensemble de registre de mode [MME])
  • BC4 ou BL8 sélectionnable (OTF) en marche
  • L'individu régénèrent le mode
  • Comité technique de 0°C à 95°C
  • 64ms, le cycle 8192 régénèrent à 0°C à 85°C
  • 32ms à 85°C à 95°C
  • L'individu régénèrent la température (SRT)
  • L'individu automatique régénèrent (ASR)
  • Mise à niveau Write
  • Registre universel
  • Calibrage de conducteur de sortie

Attributs techniques

Description
Valeur
Trouvez les pièces semblables
Dimensions de produit
8 x 14 x 0,965
 
Température de fonctionnement
°C 0 à 95
 
Nombre de lignes d'entrée-sortie
Bit 16
 
Nombre de peu par Word
Bit 16
 
Densité
1 gigaoctet
 
Type
DDR3L SDRAM
 
Largeur de bus d'adresses
Bit 13
 
Largeur de bus de données
Bit 16
 
Niveau de criblage
Commercial
 
Temp de traitement maximum
260
 
Finition d'avance
Étain|Argent|Cuivre
 
Fréquence de base maximum
933 mégahertz
 
Compte de Pin
96
 
Tension d'alimentation d'opération
1,35 V
 
Organisation
64M x 16
 
Paquet de fournisseur
FBGA
 
Courant maximum d'opération
63 mA
 
Montage
Bâti extérieur
 
Choisissez tous/ne pas sélectionner tous
 

 

 

ECCN/UNSPSC

 

Description
Valeur
ECCN :
EAR99
PROGRAMME B :
8542320023
HTSN :
8542320022
UNSPSC :
32101602
VERSION D'UNSPSC :
V15.1101
Bits de la puce 16 d'IC de mémoire de DDR3L SDRAM 8 banques internes MT41K64M16TW-107 : J
Bits de la puce 16 d'IC de mémoire de DDR3L SDRAM 8 banques internes MT41K64M16TW-107 : JBits de la puce 16 d'IC de mémoire de DDR3L SDRAM 8 banques internes MT41K64M16TW-107 : J

Coordonnées
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Personne à contacter: Cary

Téléphone: +8613760106370

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)